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    Dislocation interaction with vicinally faceted groove at grain boundary in multi-crystalline silicon
    Yang, Fan ; Chuang, Lu-Chung ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 639 (2024-08-01)
    Online academicJournal
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    The effect of TiO2 crystalline phase on microstructure and optical features of Zn2TiO4 doped with Mn
    Borkovska, L. ; Kozoriz, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 630 (2024-03-15)
    Online academicJournal
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    In situ study of growth kinetics of {1 0 0} and {1 1 0} crystal/melt interfaces during unidirectional solidification of silicon
    Mishra, Shashank Shekhar ; Chuang, Lu-Chung ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 627 (2024-02-01)
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Difference in growth rates at {1 1 0} and {1 1 1} crystal/melt interfaces of silicon
    Mishra, Shashank Shekhar ; Chuang, Lu-Chung ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 593 (2022-09-01)
    Online academicJournal
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    Electrophysical parameter comparison of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures grown by the NH3-MBE technique on sapphire and silicon substrates
    Malin, Timur ; Milakhin, Denis ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 588 (2022-06-15)
    Online academicJournal
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    Facet formation during the solidification of pure antimony
    Shiga, Keiji ; Maeda, Kensaku ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 586 (2022-05-15)
    Online academicJournal
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    Twin boundary formation at a grain-boundary groove during the directional solidification of InSb
    Shiga, Keiji ; Takahashi, Atsuko ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 577 (2022)
    Online academicJournal
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    Distribution of Ce in orthophosphate Sr3(PO4)2
    Tokuda, Makoto ; Kodama, Yui ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 571 (2021-10-01)
    Online academicJournal
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    Role of high nitrogen flux in InAlN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Sawicka, Marta ; Fiuczek, Natalia ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 544 (2020-08-15)
    Online academicJournal
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    Kinetically stabilized high-temperature InN growth
    Cross, G. Brendan ; Ahmad, Zaheer ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 536 (2020-04-15)
    Online academicJournal
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    In situ observation of the solidification interface and grain boundary development of two silicon seeds with simultaneous measurement of temperature profile and undercooling
    Lau, Victor, Jr. ; Maeda, Kensaku ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 532 (2020-02-15)
    Online academicJournal
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    Crystallization in small droplets: Competition between homogeneous and heterogeneous nucleation
    Kožíšek, Zdeněk
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 522 (2019-09-15), S. 53-60
    Online academicJournal
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    Nitrogen-rich growth for device quality N-polar InGaN/GaN quantum wells by plasma-assisted MBE
    Turski, Henryk ; Feduniewicz-Żmuda, Anna ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 512 (2019-04-15), S. 208-212
    Online academicJournal
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    Application of weighted Voronoi diagrams to analyze nucleation sites of multicrystalline silicon ingots
    Muramatsu, Tetsuro ; Hayama, Yusuke ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 499 (2018-10-01), S. 62-66
    Online academicJournal
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    Effect of substrate on the growth and properties of thin 3R NbS2 films grown by chemical vapor deposition
    Kozhakhmetov, Azimkhan ; Choudhury, Tanushree H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 486 (2018-03-15), S. 137-141
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    In-situ studies of multicrystalline silicon nucleation and growth on α- and β-Si3N4 coated substrates
    Undheim, Espen ; Maeda, Kensaku ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 482 (2018-01-15), S. 75-84
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Homogeneous crystal nucleation in Ni droplets
    Kožíšek, Zdeněk ; Demo, Pavel
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 247-250
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Impacts of thermal stress and doping on intrinsic point defect properties and clustering during single crystal silicon and germanium growth from a melt
    Vanhellemont, Jan ; Kamiyama, Eiji ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 474 (2017-09-15), S. 96-103
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of fabrication method of Al2O3 buffer layer on Rh-catalyzed growth of single-walled carbon nanotubes by alcohol-gas-source chemical vapor deposition
    Kiribayashi, Hoshimitsu ; Fujii, Takayuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 114-118
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Spectroscopic study of X-ray absorption near-edge structure of chemical states of Pt catalyst during growth of single-walled carbon nanotubes
    Kumakura, Makoto ; Kozawa, Akinari ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 155-158
    Online academicJournal
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