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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN.
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 452 (2016-10-15), S. 226-229
    Online academicJournal
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa.
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 434 (2016-01-15), S. 116-122
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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    Control of vapor feed from liquid precursors to the OMVPE process.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 32-34
    Online academicJournal
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    Growth by MOCVD of In(Ga)AlN alloys, and a study of gallium contamination in these layers under nitrogen and hydrogen carrier gas.
    Bouveyron, R. ; Charles, M.B.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 464 (2017-04-15), S. 105-111
    Online academicJournal
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    Performance of a central delivery system for metalorganic precursors
    Woelk, Egbert
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1340-1342
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    High growth rate MOVPE of Al(Ga)N in planetary reactor
    Lundin, W.V. ; Nikolaev, A.E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 209-213
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
    Online academicJournal
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    MOVPE of n-doped GaAs and modulation doped GaAs/AlGaAs nanowires
    Sladek, K. ; Klinger, V. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-02-15), Heft 5, S. 635-640
    Online academicJournal
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