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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 388-393
    Online academicJournal
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    A density functional theory study on the gas-phase formation of InGaN by metalorganic chemical vapor deposition.
    Sun, Yukang ; Su, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 631 (2024-04-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Carbon and silicon background impurity control in undoped GaN layers grown with trimethylgallium and triethylgallium via metalorganic chemical vapor deposition.
    Bakhtiary-Noodeh, Marzieh ; Detchprohm, Theeradetch ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 602 (2023-01-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
    Moe, C. ; Onuma, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 710-713
    Online academicJournal
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    Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD
    Grzegorczyk, A.P. ; Hageman, P.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 283 (2005-09-15), Heft 1/2, S. 72-80
    Online academicJournal
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