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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 490 (2018-05-15), S. 56-60
    Online academicJournal
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004), Heft 3, S. 388-393
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003), S. 119-123
    Online academicJournal
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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 221 (2000), Heft 1, S. 212-219
    Online academicJournal
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    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH 3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 200 (1999), Heft 1, S. 63-69
    Online academicJournal
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa.
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 434 (2016-01-15), S. 116-122
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Formation of polymers in TMGa/NH<subscript>3</subscript>/H<subscript>2</subscript> system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 289 (2006-04-01), Heft 2, S. 428-432
    Online academicJournal
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    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 189-190 (1998-06-15), S. 340-343
    Online academicJournal
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    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 127 (1993), Heft 1, S. 1059-1063
    Online academicJournal
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    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH 3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, Chr. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 124 (1992), Heft 1, S. 220-226
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The influence of TMA and SiH 4 on the incorporation rate of Ga in Al xGa 1− xN crystals grown from TMG and NH 3
    Sayyah, Keyvan ; Chung, Bu-Chin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 424-429
    Online academicJournal
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    GaP and GaAs films grown by vacuum chemical epitaxy using TEGa and TMGa sources
    Fraas, L.M. ; McLeod, P.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 386-391
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    MOCVD in inverted stagnation point flow: I. Deposition of GaAs from TMAs and TMGa
    Lee, Peter ; McKenna, Don ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 120-127
    Online academicJournal
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    Studies of TMGa adsorption on thin GaAs and InAs (001) layers
    Maa, B.Y. ; Dapkus, P.D.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 105 (1990), Heft 1, S. 213-220
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CH yX 4 − y, TMG and AsH 3
    Buchan, N.I. ; Kuech, T.F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991), Heft 3, S. 405-414
    Online academicJournal
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    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 132 (1993), Heft 3, S. 364-370
    Online academicJournal
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    Growth of carbon-doped base GaAs/AlGaAs HBT by gas-source MBE using TEG, TEA, TMG, AsH 3, and Si 2H 6
    Ando, Hideyasu ; Fujii, Toshio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 120 (1992), Heft 1, S. 228-233
    Online academicJournal
    Zugriff:
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