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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 388-393
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    Heteroepitaxial growth of α-, β-, γ- and κ-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Gottschalch, Volker ; Merker, Stefan ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 510 (2019-03-15), S. 76-84
    Online academicJournal
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    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
    Online academicJournal
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    High-quality a-plane GaN grown with flow-rate modulation epitaxy on r-plane sapphire substrate
    Huang, Jeng-Jie ; Tang, Tsung-Yi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-05-15), Heft 11, S. 2712-2716
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    Effects of Ga- and Sb-precursor chemistry on the alloy composition in pseudomorphically strained GaAs<subscript>1−</subscript> <subscript>y</subscript> Sb <subscript>y</subscript> films grown via metalorganic vapor phase epitaxy
    Khandekar, A.A. ; Yeh, J.Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 303 (2007-05-15), Heft 2, S. 456-465
    Online academicJournal
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