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    Al incorporation, structural and optical properties of Al <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N (0.13⩽x⩽0.8) alloys grown by MOCVD
    Liu, B. ; Zhang, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-10-15), Heft 21, S. 4499-4502
    Online academicJournal
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    In situ study of GaAs growth mechanisms using tri-methyl gallium and tri-ethyl gallium precursors in metal-organic vapour phase epitaxy
    Pristovsek, M. ; Zorn, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 262 (2004-02-15), Heft 1-4, S. 78-83
    Online academicJournal
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    A study of Indium incorporation efficiency in InGaN grown by MOVPE
    Bosi, Matteo ; Fornari, Roberto
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 265 (2004-05-01), Heft 3/4, S. 434-439
    Online academicJournal
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