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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage.
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 490 (2018-05-15), S. 56-60
    Online academicJournal
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN.
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 452 (2016-10-15), S. 226-229
    Online academicJournal
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa.
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 434 (2016-01-15), S. 116-122
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Formation of polymers in TMGa/NH<subscript>3</subscript>/H<subscript>2</subscript> system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 289 (2006-04-01), Heft 2, S. 428-432
    Online academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 388-393
    Online academicJournal
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003-02-01), Heft 1-4, S. 119-123
    Online academicJournal
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    A density functional theory study on the gas-phase formation of InGaN by metalorganic chemical vapor deposition.
    Sun, Yukang ; Su, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 631 (2024-04-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Metalorganic vapor-phase epitaxial growth simulation to realize high-quality and high-In-content InGaN alloys.
    Ohkawa, Kazuhiro ; Ichinohe, Fumitaka ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 512 (2019-04-15), S. 69-73
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxial growth of α-, β-, γ- and κ-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Gottschalch, Volker ; Merker, Stefan ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 510 (2019-03-15), S. 76-84
    Online academicJournal
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    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Carbon and silicon background impurity control in undoped GaN layers grown with trimethylgallium and triethylgallium via metalorganic chemical vapor deposition.
    Bakhtiary-Noodeh, Marzieh ; Detchprohm, Theeradetch ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 602 (2023-01-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy.
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 181-186
    Online academicJournal
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    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
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    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD
    Liu, Yuemei ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2013-04-01, S. 92-96
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    Lin, Chia-Hung ; Abe, Ryota ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 214-217
    Online academicJournal
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