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    The effect of Fe<subscript>Ga</subscript> (0/–) level presence on material properties in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N layers.
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-07), Heft 17, S. 1-7
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    Atomic and electronic origin of robust off-state insulation properties in Al-rich Al<subscript>x</subscript>Te<subscript>y</subscript> glass for ovonic threshold switching applications.
    Li, Xiao-Dong ; Tian, Maoan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-9
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    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
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    Ab initio study of effects of Al on the defect behaviors of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi high entropy alloys.
    Shu, Yue ; Wang, Rui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-06-07), Heft 21, S. 1-12
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    Bulk single crystals and physical properties of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (x = 0–0.35) grown by the Czochralski method.
    Galazka, Zbigniew ; Fiedler, Andreas ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-01-21), Heft 3, S. 1-11
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    In situ MOCVD growth and band offsets of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dielectric on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-10-28), Heft 16, S. 1-13
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    Coherently strained (001) β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>: Growth and compositional analysis.
    Mauze, Akhil ; Itoh, Takeki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-21), Heft 11, S. 1-8
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    Depth profiling of AlN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N crystals by XPS using Al Kα and Ag Lα line excitation and Ar ion gas cluster ion source.
    Romanyuk, O. ; Brault, J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-01-21), Heft 3, S. 1-13
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    Electron effective masses of Sc<subscript>x</subscript>Al<subscript>1−x</subscript>N and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N from first-principles calculations of unfolded band structure.
    Balestra, Luigi ; Gnani, Elena ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-12-07), Heft 21, S. 1-7
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    Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterostructures.
    Kumar, Avinash ; Singisetti, Uttam
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-11-28), Heft 20, S. 1-14
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    Elucidation of the excitation mechanism of Tb ions doped in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N grown by OMVPE toward a wavelength-stable green emitter.
    Komai, R. ; Ichikawa, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-02-21), Heft 7, S. 1-7
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