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    The properties of GaInP/GaAs heterostructures as a function of growth temperature
    Pelosi, C. ; Attolini, G. ; et al.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 132 (2006-03-01), Heft 1, S. 315-319
    serialPeriodical
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    The properties of GaInP/GaAs heterostructures as a function of growth temperature
    Pelosi, C. ; Attolini, G. ; et al.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 132 (2006-03-01), Heft 1, S. 315-319
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    SOME INSIGHT INTO THE NATURE OF THE SURFACE CHEMICAL PROCESSES INVOLVED IN THE MOVPE GROWTH OF GaAs FROM ARSINE AND TRIMETHYL- OR TRIETHYL-GALLIUM
    PEMBLE, M. E. ; BUHAENKO, D. S. ; et al.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 2 (1992-10-01), Heft 1, S. C2-155- (1552164S.)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    REFLECTION-ABSORPTION IR SPECTROSCOPY AS AN IN-SITU PROBE OF THE SURFACE CHEMISTRY OF SEMICONDUCTOR GROWTH INTERMEDIATES : THE ADSORPTION OF TRIMETHYLGALLIUM AT GaAs (100) SURFACES AT 300 K
    PATEL, H. ; PEMBLE, M. E.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 2 (1992-10-01), Heft 1, S. C2-167- (1672172S.)
    serialPeriodical
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    Physical property analysis of C-doped GaAs as function of the carrier concentration grown by MOCVD using elemental arsenic as precursor
    Díaz-Reyes, J. ; Avendaño, M. A. ; et al.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 132 (2006-03-01), Heft 1, S. 291-294
    serialPeriodical
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Physical property analysis of C-doped GaAs as function of the carrier concentration grown by MOCVD using elemental arsenic as precursor
    D?az-Reyes, J. ; Avenda?o, M. ; et al.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 132 (2006-03-01), Heft 1, S. 291-294
    serialPeriodical
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    Growth of galliumnitride on sapphire and silicon using propylamine as nitrogen precursor
    Atakan, B. ; Liu, Z. J.
    In: Journal de Physique IV - Proceedings, Jg. 11 (2001-09-01), Heft 1, S. Pr3-525- (5253528S.)
    serialPeriodical
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