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    Theoretical study on the effect of H<subscript>2</subscript> and NH<subscript>3</subscript> on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE.
    Sakakibara, Soma ; Chokawa, Kenta ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 60 (2021-04-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy.
    Sekiguchi, Kazuki ; Shirakawa, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-04-02), Heft 4S, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Magnetic coupling dependence on MgO interlayer thickness of FePt multilayered dots.
    Makuta, Hirokazu ; Iwama, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-05-01), Heft 5, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Indium-Rich InGaP Nanowires Formed on InP (111)A Substrates by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy.
    Ishizaka, Fumiya ; Ikejiri, Keitaro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-15), Heft 4S, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Analytical Threshold Model for Nanoscale Cylindrical Surrounding-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor with High-κ Gate Dielectric and Tri-Material Gate Stack.
    Li, Cong ; Zhuang, Yi-Qi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-12-01), Heft 12R, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of GaN Films by Pulse-Mode Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition.
    Komae, Yasuaki ; Yasui, Kanji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-01), Heft 7R, S. 1-1
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    Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III–nitride metal organic vapor phase epitaxy.
    Sekiguchi, Kazuki ; Shirakawa, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-04-15), Heft 4S, S. 1-1
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    High quality Al0.99Ga0.01N layers on sapphire substrates grown at 1150 °C by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Katsuno, Shota ; Yasuda, Toshiki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017), Heft 1, S. 1-1
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    Thermodynamic Analysis of Coherently Grown GaAsN/Ge: Effects of Different Gaseous Sources.
    Kawano, Jun ; Kangawa, Yoshihiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-01), Heft 4R, S. 1-1
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    Control of In Surface Segregation and Inter-Diffusion in GaAs on InGaP Grown by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy.
    Fukushima, Yasuyuki ; Nakano, Takayuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-05-01), Heft 5R, S. 1-1
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