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84 Treffer

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    M -plane AlGaN digital alloy for microwire UV-B LEDs
    Valera, Lucie ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    M -plane AlGaN digital alloy for microwire UV-B LEDs
    Valera, Lucie ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    M -plane AlGaN digital alloy for microwire UV-B LEDs
    Valera, Lucie ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    M -plane AlGaN digital alloy for microwire UV-B LEDs
    Valera, Lucie ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Carrier dynamics near a crack in GaN microwires with AlGaN multiple quantum wells
    Finot, Sylvain ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Carrier dynamics near a crack in GaN microwires with AlGaN multiple quantum wells
    Finot, Sylvain ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Carrier dynamics near a crack in GaN microwires with AlGaN multiple quantum wells
    Finot, Sylvain ; Grenier, Vincent ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2020
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Polarity conversion of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Concordel, Alexandre ; Jacopin, Gwenolé ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2019
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Polarity conversion of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Concordel, Alexandre ; Jacopin, Gwenolé ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2019
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Polarity conversion of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Concordel, Alexandre ; Jacopin, Gwenolé ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2019
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of a germanium nanowire light emitting diode
    Greil, Johannes ; Bertagnolli, Emmerich ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of a germanium nanowire light emitting diode
    Greil, Johannes ; Bertagnolli, Emmerich ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of a germanium nanowire light emitting diode
    Greil, Johannes ; Bertagnolli, Emmerich ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Self-powered proton detectors based on GaN core–shell p–n microwires
    Verheij, D. ; Peres, M. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Self-powered proton detectors based on GaN core–shell p–n microwires
    Verheij, D. ; Peres, M. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Self-powered proton detectors based on GaN core–shell p–n microwires
    Verheij, D. ; Peres, M. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Deep depletion concept for diamond MOSFET
    Pham, T. ; Rouger, Nicolas, C. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Symmetric faceting of a sapphire vicinal surface revealed by grazing incidence small-angle X-ray scattering 3D mapping
    Matringe, C. ; Fakih, A. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Symmetric faceting of a sapphire vicinal surface revealed by grazing incidence small-angle X-ray scattering 3D mapping
    Matringe, C. ; Fakih, A. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Deep depletion concept for diamond MOSFET
    Pham, T. ; Rouger, Nicolas, C. ; et al.
    In: ISSN: 0003-6951, 2017
    academicJournal
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