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    Practical applications of 2-D optical proximity corrections for enhanced performance of 0.25 /spl mu/m random logic devices
    Chuang, H. ; Gilbert, P. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest, 1997, S. 483-486
    Online Konferenz
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    Modeling of ultra-low energy boron implantation in silicon
    Hobler, G. ; Vuong, H. H. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest, 1997, S. 489-492
    Online Konferenz
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    Impact of nitrogen implant prior to the gate oxide growth on transient enhanced diffusion
    Kamgar, A. ; Vuong, H. H. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest, 1997, S. 695-698
    Online Konferenz
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    Low leakage, ultra-thin gate oxides for extremely high performance sub-100 nm nMOSFETs
    Timp, G. ; Agarwal, A. ; et al.
    In: International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest, 1997, S. 930-932
    Online Konferenz
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    Zum Volltext
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