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    Free-ion yield for tetramethylsilane and tetramethylgermanium
    Hoshi, Y. ; Higuchi, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 40 (1993-08-01), Heft 4, S. 532-536
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Radiation damage to tetramethlysilane and tetramethlygermanium ionization chambers
    Hoshi, Y. ; Higuchi, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 41 (1994-08-01), Heft 4, S. 853-855
    Online academicJournal
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