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    Impact of Inherent Design Limitations for Cu–Sn SLID Microbumps on Its Electromigration Reliability for 3D ICs
    Tiwary, N. ; Ross, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023), Heft 1, S. 222-229
    Online academicJournal
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    Use of transient enhanced diffusion to tailor boron out-diffusion
    Vuong, H. H. ; Xie, Y. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 47 (2000-07-01), Heft 7, S. 1401-1405
    Online academicJournal
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    An improved electron and hole mobility model for general purpose device simulation
    Darwish, M.N. ; Lentz, J.L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 44 (1997-09-01), Heft 9, S. 1529-1538
    Online academicJournal
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    Effects of oxide interface traps and transient enhanced diffusion on the process modeling of PMOS devices
    Vuong, H. H. ; Rafferty, C.S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-07-01), Heft 7, S. 1144-1152
    Online academicJournal
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    Scaling of poly-encapsulated LOCOS for 0.35 /spl mu/m CMOS technology
    Kenkare, P.U. ; Mazure, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994), Heft 1, S. 56-62
    Online academicJournal
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    Impact of interface impurities on heterostructure field-effect transistors
    Reynolds, C.L., Jr. ; Vuong, H.H.T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 39 (1992-11-01), Heft 11, S. 2459-2464
    Online academicJournal
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    Sidegating in a GaAs MBE-grown HFET structure
    Vuong, T.H.H. ; Gibson, W.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 37 (1990), Heft 1, S. 51-57
    Online academicJournal
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    Design and benchmarking of BCPMOS versus SCPMOS for an evolutionary 0.25-/spl mu/m CMOS technology
    Vuong, H. H. ; Eshraghi, S.A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-04-01), Heft 4, S. 991-993
    Online academicJournal
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