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    Electrolithic Memory: A New Device for Ultrahigh-Density Data Storage.
    Fransen, Senne ; Willems, Kherim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 2377-2383
    Online academicJournal
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    Study on Multilevel Resistive Switching Behavior With Tunable ON/OFF Ratio Capability in Forming-Free ZnO QDs-Based RRAM.
    Wang, Wenxiao ; Li, Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), Heft 11, S. 4884-4890
    Online academicJournal
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    Thermal design considerations for fast warm-up cathodes in MM wave magnetrons.
    Dwivedi, H.K. ; Venkateswarlu, D.S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-11-01), Heft 11, S. 2011-2018
    Online academicJournal
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    Understanding of the Volatile and Nonvolatile Switching in Ag-Based Memristors.
    Ding, Xiangxiang ; Huang, Peng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 1034-1040
    Online academicJournal
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    A Novel Defect-Engineering-Based Implementation for High-Performance Multilevel Data Storage in Resistive Switching Memory.
    Gao, Bin ; Chen, Bing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1379-1383
    Online academicJournal
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    Spray-Coated, Volatile and Nonvolatile, Two-Terminal, Resistive Switching Memory Devices Comprising Liquid-Exfoliated Black Phosphorus and Graphene Layers.
    Jo, Yooyeon ; Dimitrakopoulos, Christos
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-12-01), Heft 12, S. 5484-5489
    Online academicJournal
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    Implementation of All 27 Possible Univariate Ternary Logics With a Single ZnO Memristor.
    Zhang, Yue-Jun ; Chen, Xin-Hui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4710-4715
    Online academicJournal
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    Temperature-Dependent Contact Resistance to Nonvolatile Memory Materials.
    Deshmukh, Sanchit ; Yalon, Eilam ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 3816-3821
    Online academicJournal
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    Investigating Material Changes at Different Gadolinium Doping Power Levels in Indium-Tin Oxide Intended for Use as an Insulator in Resistive Switching Memory.
    Lin, Chun-Chu ; Chen, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 2595-2599
    Online academicJournal
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    A Warm Welcome to A New T-ED Editor.
    Cressler, John D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-06-01), Heft 6, S. 1626-1626
    Online academicJournal
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    A Warm Welcome to Two New T-ED Editors.
    Cressler, John D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-04-01), Heft 4, S. 935-935
    Online academicJournal
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    A Warm Welcome to a New TED Editor.
    Cressler, John D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-10-01), Heft 10, S. 2974-2974
    Online academicJournal
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    Conductive Filament Scaling of TaOx Bipolar ReRAM for Improving Data Retention Under Low Operation Current.
    Ninomiya, Takeki ; Wei, Zhigiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1384-1389
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fast- and super-fast-warm-up cathodes using novel APG/APBN heaters.
    Cattelino, M.J. ; Miram, G.V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 38 (1991-01-10), Heft 10, S. 2239-2243
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low-Temperature Processing of Electronic Materials Using Uniform Microwave Fields.
    Hubbard, Robert L.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3170-3175
    Online academicJournal
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    Characterization of SiPM Avalanche Triggering Probabilities.
    Gallina, G. ; Retiere, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), Heft 10, S. 4228-4234
    Online academicJournal
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    Corrections to “A Warm Welcome to a New T-ED Editor”.
    Cressler, John D.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014), Heft 1, S. 213-213
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    A young engineer enters the microwave tube field during world war II.
    Hull, J.F.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-01-11), Heft 11, S. 1611-1613
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    Recollections of pre-world war II magnetrons and their applications.
    Kilgore, G.R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 31 (1984-01-11), Heft 11, S. 1593-1595
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Time-Dependent Dielectric Breakdown in High-Voltage GaN MIS-HEMTs: The Role of Temperature.
    Warnock, Shireen ; Lemus, Allison ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3132-3138
    Online academicJournal
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