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    Performance Enhancement of Microwave GaN HEMTs Without an AlN-Exclusion Layer Using an Optimized AlGaN/GaN Interface Growth Process.
    Bergsten, Johan ; Chen, Jr-Tai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016), Heft 1, S. 333-338
    Online academicJournal
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    Dispersive Effects in Microwave AlGaN/AlN/GaN HEMTs With Carbon-Doped Buffer.
    Gustafsson, Sebastian ; Chen, Jr-Tai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-07-01), Heft 7, S. 2162-2169
    Online academicJournal
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    Hierarchical Simulation of Statistical Variability: From 3-D MC With “ ab initio” Ionized Impurity Scattering to Statistical Compact Models.
    Kovac, Urban ; Alexander, Craig ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-10-01), Heft 10, S. 2418-2426
    Online academicJournal
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    Investigation of High-Performance ITO-Stabilized ZnO TFTs With Hybrid-Phase Microstructural Channels.
    Deng, Sunbin ; Chen, Rongsheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3174-3182
    Online academicJournal
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    Trap Assisted Tunneling and Its Effect on Subthreshold Swing of Tunnel FETs.
    Sajjad, Redwan N. ; Chern, Winston ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-11-01), Heft 11, S. 4380-4387
    Online academicJournal
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    Quenching of the Efficiency Droop in Cubic Phase InGaAlN Light-Emitting Diodes.
    Tsai, Yi-Chia ; Leburton, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 3240-3245
    Online academicJournal
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    Pulse Compression Photoconductive Switching Using Negative Differential Mobility.
    Dowling, Karen ; Dong, Yicong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 590-596
    Online academicJournal
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    Optical Transitions and Magnetism in Mn-Implanted Gallium Nitride for Three-Level Magnetooptic Devices.
    Carlson, John A. ; Ganjoo, Maanav ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 225-230
    Online academicJournal
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    Nonconventional Analog Comparators Based on Graphene and Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide.
    Liu, Jialun ; Ryu, Hojoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 1334-1339
    Online academicJournal
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    Simulation and Experimental Validation of the Uniformity of Thermally Evaporated Amorphous Selenium Films for Large-Area Imaging and Radiation Detection Applications.
    Farahmandzadeh, Maryam ; Marcinko, Steven ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 626-631
    Online academicJournal
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    Thermoelectric Property Requirements for On-Chip Cooling of Device Transients.
    Nimmagadda, Lakshmi Amulya ; Sinha, Sanjiv
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-09-01), Heft 9, S. 3716-3721
    Online academicJournal
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    Improving Current ON/OFF Ratio and Subthreshold Swing of Schottky-Gate AlGaN/GaN HEMTs by Postmetallization Annealing.
    Lee, Hsuan-Ping ; Bayram, Can
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 2760-2764
    Online academicJournal
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    A Physics-Based Compact Model for Ultrathin Black Phosphorus FETs—Part II: Model Validation Against Numerical and Experimental Data.
    Yarmoghaddam, Elahe ; Haratipour, Nazila ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 397-405
    Online academicJournal
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    A Physics-Based Compact Model for Ultrathin Black Phosphorus FETs—Part I: Effect of Contacts, Temperature, Ambipolarity, and Traps.
    Yarmoghaddam, Elahe ; Haratipour, Nazila ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 389-396
    Online academicJournal
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    Special Issue on Reliability.
    Mahapatra, Souvik ; Chen, Kevin J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-11-01), Heft 11, S. 4497-4503
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    Exploring New Metal Electrodes for Ferroelectric Aluminum-Doped Hafnium Oxide.
    Ryu, Hojoon ; Xu, Kai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-05-01), Heft 5, S. 2359-2364
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    Study on High-Density Integration Resistive Random Access Memory Array From Multiphysics Perspective by Parallel Computing.
    Zhu, Guodong ; Chen, Wenchao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-04-01), Heft 4, S. 1747-1753
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    Stability of MOSFET-Based Electronic Components in Wearable and Implantable Systems.
    Jin, Xin ; Jiang, Chunsheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3443-3451
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Nanometer-Scale Strain Measurements in AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors During Pulsed Operation.
    Rosenberger, Matthew R. ; Jones, Jason P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-07-01), Heft 7, S. 2742-2748
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    Analysis and Removal of Spurious Response in SH0 Lithium Niobate MEMS Resonators.
    Song, Yong-Ha ; Lu, Ruochen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-05-01), Heft 5, S. 2066-2073
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