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    High-Temperature Characteristics of 3-kV 4H-SiC Reverse Blocking MOSFET for High-Performance Bidirectional Switch.
    Mori, Seigo ; Aketa, Masatoshi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4167-4174
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    Mobility Improvement Study for 8-Å-EOT HfO2 UTBB-FD-SOI MOSFET Based on the Direct Extraction of the Back-Channel Mobility.
    Trojman, Lionel ; Ragnarsson, Lars-Ake ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-11-01), Heft 11, S. 3632-3638
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    Influence of Field Plates and Surface Traps on Microwave Silicon Carbide MESFETs.
    Nilsson, Per-Åke ; Allerstam, Fredrik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-08-01), Heft 8, S. 1875-1879
    Online academicJournal
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    Effects of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Dielectric Cap and Nitridation on Device Performance, Scalability, and Reliability for Advanced High-k/Mëtal Gate pMOSFET Applications.
    Chang, Vincent S. ; Ragnarsson, Lars-Åke ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-10-01), Heft 10, S. 2738-2749
    Online academicJournal
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    High-κ Metal Gate MOSFETs: Impact of Extrinsic Process Condition on the Gate-Stack Quality—A Mobility Study.
    Trojman, Lionel ; Ragnarsson, Lars-Åke ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-03-01), Heft 3, S. 497-503
    Online academicJournal
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    Electrical Characteristics of 8-Å EOT Hf0<subscript>2</subscript>/TaN Low Thermal-Budget n-Channel FETs With Solid-Phase Epitaxially Regrown Junctions.
    Ragnarsson, Lars-Åke ; Severi, Simone ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-07-01), Heft 7, S. 1657-1668
    Online academicJournal
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    Simulation of a high performance MOSFET with a quantum wire structure incorporating a...
    Tanaka, Junko ; Sawada, Akemi
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-12-01), Heft 12, S. 2185-2189
    Online academicJournal
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    Cryogenic Kink Effect in InP pHEMTs: A Pulsed Measurements Study.
    Rodilla, Helena ; Schleeh, Joel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-02-01), Heft 2, S. 532-537
    Online academicJournal
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    Cryogenic Performance of Low-Noise InP HEMTs: A Monte Carlo Study.
    Rodilla, Helena ; Schleeh, Joel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-05-01), Heft 5, S. 1625-1631
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    High-Field Transport Investigation for 25-nm MOSFETs With 0.64-nm EOT: Intrinsic Performance and Parasitic Effects.
    Trojman, Lionel ; Pantisano, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-07-01), Heft 7, S. 1856-1862
    Online academicJournal
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    LaSiO x - and Al 2 O 3 -Inserted Low-Temperature Gate-Stacks for Improved BTI Reliability in 3-D Sequential Integration.
    Wu, Zhicheng ; Franco, Jacopo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 915-921
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    Theory and Experiments of the Impact of Work-Function Variability on Threshold Voltage Variability in MOS Devices.
    Zhang, Xiao ; Mitard, Jerome ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-11-01), Heft 11, S. 3124-3126
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    Comprehensive and Macrospin-Based Magnetic Tunnel Junction Spin Torque Oscillator Model-Part I: Analytical Model of the MTJ STO.
    Chen, Tingsu ; Eklund, Anders ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-03-01), Heft 3, S. 1037-1044
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    Comprehensive and Macrospin-Based Magnetic Tunnel Junction Spin Torque Oscillator Model- Part II: Verilog-A Model Implementation.
    Chen, Tingsu ; Eklund, Anders ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-03-01), Heft 3, S. 1045-1051
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    Fast Ramped Voltage Characterization of Single Trap Bias and Temperature Impact on Time-Dependent \(V_{\rm TH}\) Variability.
    Toledano-Luque, Maria ; Degraeve, Robin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-09-01), Heft 9, S. 3139-3144
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    Characterization and Modeling of Cryogenic Ultralow-Noise InP HEMTs.
    Schleeh, Joel ; Rodilla, Helena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013), Heft 1, S. 206-212
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    Insight Into N/PBTI Mechanisms in Sub-1-nm-EOT Devices.
    Cho, Moonju ; Lee, Jae-Duk ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-08-01), Heft 8, S. 2042-2048
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    Interface Trap Characterization of a 5.8-\\rm \AA EOT p-MOSFET Using High-Frequency On-Chip Ring Oscillator Charge Pumping Technique.
    Cho, Moonju ; Kaczer, Ben ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-10-01), Heft 10, S. 3342-3349
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    Transient Simulation of Microwave SiC MESFETs With Improved Trap Models.
    Hjelmgren, Hans ; Allerstam, Fredrik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-03-01), Heft 3, S. 729-732
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    Design and Fabrication of 4H-SiC RF MOSFETs.
    Gudjónsson, Gudjón I. ; Allerstam, Fredrik ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-12-01), Heft 12, S. 3138-3145
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