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    Wavelength Conversion Efficiency Enhancement in Modal Phase Matched χ<superscript>(2)</superscript> Nonlinear Waveguides.
    Kang, Dongpeng ; Zhang, Weiqi ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 13 (2021-06-01), Heft 3, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Sheet Charge Engineering Towards an Efficient Hole Injection in 290 nm Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
    Liu, Mengran ; Ji, Yongchen ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 13 (2021), Heft 4, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Increasing the Carrier Injection Efficiency of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Double Al Composition Gradient Last Quantum Barrier and p-Type Hole Supply Layer.
    Wu, Jinxing ; Li, Peixian ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 13 (2021-04-01), Heft 2, S. 1-10
    Online academicJournal
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    An Amorphous (Al0.12Ga0.88)2O3 Deep Ultraviolet Photodetector.
    Liu, Shu-Bai ; Chang, Shoou-Jinn ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 12 (2020-08-01), Heft 4, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Advantages of AlGaN-Based 310-nm UV Light-Emitting Diodes With Al Content Graded AlGaN Electron Blocking Layers.
    Li, Yang ; Chen, Shengchang ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 5 (2013-08-01), Heft 4, S. 8200309-8200317
    Online academicJournal
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    Deep-Ultraviolet Emitting AlGaN Multiple Quantum Well Graded-Index Separate-Confinement Heterostructures Grown by MBE on SiC Substrates
    Sun, Haiding ; Yin, Jian ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 9 (2017), Heft 4, S. 1-9
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    Enhancing Carrier Injection Using Graded Superlattice Electron Blocking Layer for UVB Light-Emitting Diodes.
    Janjua, Bilal ; Khee Ng, Tien ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 6 (2014-12-01), Heft 6, S. 486-497
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    Increasing the Carrier Injection Efficiency of GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Double Al Composition Gradient Last Quantum Barrier and p-Type Hole Supply Layer
    Wu, Jinxing ; Li, Peixian ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 13 (2021), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    An Amorphous (Al0.12Ga0.88)2O3 Deep Ultraviolet Photodetector
    Liu, Shu-Bai ; Chang, Shoou-Jinn ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 12 (2020), Heft 4, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Advantages of AlGaN-Based 310-nm UV Light-Emitting Diodes With Al Content Graded AlGaN Electron Blocking Layers
    Li, Yang ; Chen, Shengchang ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 5 (2013), Heft 4, S. 8200309
    Online academicJournal
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    Enhancing Carrier Injection Using Graded Superlattice Electron Blocking Layer for UVB Light-Emitting Diodes
    Janjua, Bilal ; Tien Khee Ng ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 6 (2014), Heft 6, S. 1-12
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