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    Self-Heating in 28 FDSOI UTBB MOSFETs at Cryogenic Temperatures.
    Nyssens, Lucas ; Halder, Arka ; et al.
    In: ESSDERC, 2019, S. 162-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Back-gate bias effect on UTBB-FDSOI non-linearity performance.
    B. Kazemi Esfeh ; Kilchytska, Valeria ; et al.
    In: ESSDERC, 2017, S. 148-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of ultrasensitive extended-gate Ion-sensitive-field-effect-transistor based on industrial UTBB FDSOI transistor.
    Getenet Tesega Ayele ; Monfray, Stéphane ; et al.
    In: ESSDERC, 2017, S. 264-267
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    TCAD low-field mobility model for InGaAs UTB MOSFETs including quasi-ballistic corrections.
    Carapezzi, Stefania ; Caruso, Enrico ; et al.
    In: ESSDERC, 2016, S. 416-419
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Performance and layout effects of SiGe channel in 14nm UTBB FDSOI: SiGe-first vs. SiGe-last integration.
    Berthelon, R. ; Andrieu, François ; et al.
    In: ESSDERC, 2016, S. 127-130
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    UTBB FDSOI technology flexibility for ultra low power internet-of-things applications.
    Beigné, Edith ; Christmann, Jean-Frédéric ; et al.
    In: ESSDERC, 2015, S. 164-167
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    FinFET versus UTBB SOI - A RF perspective.
    Raskin, Jean-Pierre
    In: ESSDERC, 2015, S. 84-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    UTBB FDSOI: Evolution and opportunities.
    Skotnicki, Thomas ; Monfray, Stéphane
    In: ESSDERC, 2015, S. 76-79
    Konferenz
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    Variability of UTBB MOSFET analog figures of merit in wide frequency range.
    Makovejev, Sergej ; B. Kazemi Esfeh ; et al.
    In: ESSDERC, 2014, S. 222-225
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Random Telegraph Signals on 6T high-density SRAM in 28nm UTBB FD-SOI.
    Kaya Can Akyel ; Ciampolini, Lorenzo ; et al.
    In: ESSDERC, 2014, S. 94-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Novel back-biased UTBB lateral SCR for FDSOI ESD protections.
    Solaro, Yohann ; Fonteneau, Pascal ; et al.
    In: ESSDERC, 2013, S. 222-225
    Konferenz
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    Threshold voltage extraction techniques and temperature effect in context of global variability in UTBB mosfets.
    Makovejev, Sergej ; Babak Kazemi Esfeh ; et al.
    In: ESSDERC, 2013, S. 194-197
    Konferenz
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    On the correlation between the retention time of FBRAM and the low-frequency noise of UTBOX SOI nMOSFETs.
    Simoen, Eddy ; Aoulaiche, Marc ; et al.
    In: ESSDERC, 2012, S. 338-341
    Konferenz
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    On the UTBB SOI MOSFET performance improvement in quasi-double-gate regime.
    Kilchytska, Valeria ; Flandre, Denis ; et al.
    In: ESSDERC, 2012, S. 246-249
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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