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    (Invited) High Performance UTB GeOI n and pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology
    Hsin, Wen ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-23), Heft 10, S. 25-34
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    (Invited) UTBB FDSOI PMOSFETs Including Strained SiGe Channels at the 14nm Technology Node and Beyond
    Andrieu, Francois ; Berthelon, Remy ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 75 (2016-08-18), Heft 8, S. 3-14
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    (Plenary) Physical Insights on the Design of UTB Devices, Including FinFETs
    Fossum, Jerry G.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-03-27), Heft 5, S. 3-11
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes
    Tatsuo, Vitor ; Regina, Katia ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-03-27), Heft 5, S. 109-115
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Ultra-Thin Body and BOX (UTBB) Device for Aggressive Scaling of CMOS Technology
    Liu, Qing ; Yagishita, Atsushi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 34 (2011-03-21), Heft 1, S. 37-42
    Online serialPeriodical
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    Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations
    Ungersboeck, Enzo ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 3 (2006-10-20), Heft 7, S. 45-54
    Online serialPeriodical
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Mechanical Analyses of Extended and Localized UTBB Stressors Formed with Ge Enrichment Techniques
    Francois, Pierre ; Grenouillet, Laurent ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-03-31), Heft 4, S. 57-65
    Online serialPeriodical
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Lessons Learned from Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-On-Insulator nMOSFETs
    Simoen, Eddy R. ; Aoulaiche, Marc ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 53 (2013-05-03), Heft 5, S. 49-61
    Online serialPeriodical
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Influence of High Temperature on UTBB SOI nMOSFETs with and without Ground Plane
    Sonnenberg, Victor ; Itocazu, Vitor T. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 53 (2013-05-03), Heft 5, S. 85-91
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Larger Intrinsic Voltage Gain Achieved with UTBOX SOI Devices and Thin Silicon Film
    Rodrigues, Michele ; Galeti, Milene ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 44 (2012-03-16), Heft 1, S. 25-31
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characteristic Variations Induced by Random Fluctuation of Source/Drain Lateral Distribution Dopant in Nano-Scale UTB SOI MOSFET
    Du, Linfeng ; Deng, Hui ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 18 (2009-03-06), Heft 1, S. 77-81
    Online serialPeriodical
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The Generation Rate Analysis of Different S/D Junction Engineering in Scaled UTBOX 1T-DRAM
    Santos, dos ; and, Simoen
    In: ECS Transactions, Jg. 53 (2013-05-03), Heft 5, S. 195-201
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM
    Regina, Katia ; Sasaki, Akemi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 53 (2013-05-03), Heft 5, S. 139-146
    Online serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    (Invited) High Performance UTB GeOI nand pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 86 (2018-07-23), Heft 10
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    (Invited) UTBB FDSOI PMOSFETs Including Strained SiGe Channels at the 14nm Technology Node and Beyond
    Andrieu, François ; Berthelon, Remy ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 75 (2016-08-18), Heft 8
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    (Plenary) Physical Insights on the Design of UTB Devices, Including FinFETs
    Fossum, Jerry G.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-03-27), Heft 5
    Online serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Threshold Voltage Modeling for Dynamic Threshold UTBB SOI in Different Operation Modes
    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sasaki, Katia Regina Akemi ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 66 (2015-03-27), Heft 5
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Study of Random Telegraph Noise in UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs
    Li, C K ; Fang, W ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 60 (2014-02-27), Heft 1
    Online serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    (Invited) FinFET and UTB--How to Make Very Short Channel MOSFETs
    Hu, Chenming
    In: ECS Transactions, Jg. 50 (2013-03-15), Heft 9
    Online serialPeriodical
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Impact of the Extension Region Concentration on the UTBOX 1T-FBRAM
    Sasaki, K. R. A. ; Almeida, L. M. ; et al.
    In: ECS Transactions, Jg. 49 (2012-08-30), Heft 1
    Online serialPeriodical
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