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    UTBOX SOI Substrate with Composite Insulating Layer
    Landru, Didier ; Allibert, Frederic ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 6, S. Q83- (5S.)
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities
    Santos, dos ; Rodriguez, Luque ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 11, S. Q205- (6S.)
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    UTBOX SOI Substrate with Composite Insulating Layer
    Landru, Didier ; Allibert, Frédéric ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 6
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Low-Frequency Noise Studies on Fully Depleted UTBOX Silicon-on-Insulator nMOSFETs: Challenges and Opportunities
    Simoen, E. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 2 (2013), Heft 11
    Online serialPeriodical
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    Wie komme ich dran?
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    Artificial Defects in Si3N4 Enhance Nonvolatile Memory Performance of Ultra-Thin Body Poly-Si Junctionless Field-Effect Transistors
    Lin, Ru ; Wang, Cheng ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), Heft 4, S. P3202- (4S.)
    Online serialPeriodical
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    Artificial Defects in Si3N4Enhance Nonvolatile Memory Performance of Ultra-Thin Body Poly-Si Junctionless Field-Effect Transistors
    Lin, Yu-Ru ; Wang, Wei-Cheng ; et al.
    In: ECS Journal of Solid State Science and Technology, Jg. 5 (2016), Heft 4
    Online serialPeriodical
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