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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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    Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique.
    Byung Oh Jung ; Bae, Si-Young ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014-03-18), Heft 11, S. 2273-2282
    Online academicJournal
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