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    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
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    Vertical GaP nanowires arranged at atomic steps on Si(111) substrates.
    Tateno, K. ; Hibino, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-17), Heft 3, S. 33114-33116
    Online academicJournal
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    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
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