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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> using TMGa as precursor.
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
    Online academicJournal
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    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
    Online academicJournal
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
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    Molecular stream epitaxy of ultrathin InGaAs/GaAsP superlattices.
    Katsuyama, T. ; Tischler, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-08-17), Heft 7, S. 529-531
    Online academicJournal
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    Grown-in defects in multi-epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions.
    Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-12-01), Heft 11, S. 1180-1182
    Online academicJournal
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    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs.
    Colas, E. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-25), Heft 26, S. 2769-2771
    Online academicJournal
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