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    Effect of aluminum substitution on physical–chemical properties of novel iron-sillenite Bi<subscript>25</subscript>Fe<subscript>(1−x)</subscript>Al<subscript>x</subscript>O<subscript>40</subscript> (x = 0.00, 0.20, 0.50).
    Jebari, H. ; Boudad, L. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 130 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Sacrificial etching of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As for III–V MEMS surface micromachining.
    Kumar, P. ; Kanakaraju, S. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 88 (2007-09-01), Heft 4, S. 711-714
    Online academicJournal
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    Photoluminescence and persistent photoconductivity of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Chung, S. J. ; Karunagaran, B. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 86 (2007-03-15), Heft 4, S. 521-524
    Online academicJournal
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    Electronic and structural properties of zincblende Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Liou, B. T.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 86 (2007-03-15), Heft 4, S. 539-543
    Online academicJournal
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    Reduced doping efficiency of aluminium in Al-doped ZnO film: role of excess aluminium and deposition rate.
    Bandaru, Narendra ; Panda, Emila
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 126 (2020-07-01), Heft 7, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Multiple release layer study of the intrinsic lateral etch rate of the epitaxial lift-off process.
    Voncken, M. M. A. J. ; Schermer, J. J. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 79 (2004-11-01), Heft 7, S. 1801-1807
    Online academicJournal
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