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    Metalorganic chemical vapor deposition of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on (001) β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrates.
    Uddin Bhuiyan, A F M Anhar ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 11 (2023-04-01), Heft 4, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Metalorganic chemical vapor deposition of α-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on m-plane sapphire substrates.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 9 (2021-10-01), Heft 10, S. 1-15
    Online academicJournal
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    α-(AlxGa1−x)2O3 single-layer and heterostructure buffers for the growth of conductive Sn-doped α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition.
    Dang, Giang T. ; Sato, Shota ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-10-01), Heft 10, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-03-01), Heft 3, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Solubility limit and material properties of a κ-(AlxGa1−x)2O3 thin film with a lateral cation gradient on (00.1)Al2O3 by tin-assisted PLD.
    Hassa, A. ; Sturm, C. ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-02-01), Heft 2, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Epitaxial κ-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films and heterostructures grown by tin-assisted VCCS-PLD.
    Storm, P. ; Kneiß, M. ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 7 (2019-11-01), Heft 11, S. N.PAG- (8S.)
    Online academicJournal
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    Response to "Comment on 'Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films'" [APL Mater. 8, 089101 (2020)].
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-08-01), Heft 8, S. 1-2
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Comment on "Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films" [APL Mater. 8, 031104 (2020)].
    Wouters, C. ; Schewski, R. ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-08-01), Heft 8, S. 1-2
    Online academicJournal
    Zugriff:
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