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    Crystallographic and band structure analysis of β-(AlxGa1−x)2O3/β-(InyGa1−y)2O3 thin film grown on β-Ga2O3 substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3
    Online academicJournal
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    Crystallographic and band structure analysis of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/β-(In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin film grown on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    An electron paramagnetic resonance study of the electron transport in heavily Si-doped high Al content AlxGa1−xN
    Zvanut, M. E. ; Hanle, Jackson P. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 13 (2023-12-01), Heft 12
    Online academicJournal
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
    Online academicJournal
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    An electron paramagnetic resonance study of the electron transport in heavily Si-doped high Al content Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Zvanut, M. E. ; Hanle, Jackson P. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 13 (2023-12-01), Heft 12, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Effective electronic band structure of monoclinic β−(AlxGa1−x)2O3 alloy semiconductor
    Sharma, Ankit ; Singisetti, Uttam
    In: AIP Advances, Jg. 13 (2023), Heft 1
    Online academicJournal
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    Bandgap bowing parameter and alloy fluctuations for β-(AlxGa1−x)2O3 alloys for x ≤ 0.35 determined from low temperature optical reflectivity
    Bhattacharjee, Jayanta ; Ghosh, Sahadeb ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-07-01), Heft 7
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films on sapphire substrates by plasma assisted pulsed laser deposition
    Chen, Zewei ; Arita, Makoto ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-03-01), Heft 3
    Online academicJournal
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    Refractive indices of MBE-grown AlxGa(1−x)As ternary alloys in the transparent wavelength region
    Papatryfonos, Konstantinos ; Angelova, Todora ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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    Conductive Si-doped α-(AlxGa1−x)2O3 thin films with the bandgaps up to 6.22 eV
    Dang, Giang T. ; Tagashira, Yuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-11-01), Heft 11
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    Band alignment of β-(AlxGa1−x)2O3 alloys via atomic solid-state energy scale approach
    Ota, Yuichi
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-12-01), Heft 12
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