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    Epitaxial Growth of Hexagonal GaN Films on SiC/Si Substrates by Hot-Mesh CVD Method
    Takahashi, Kazuki ; Yasui, Kanji ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 11 (2006-02-15), Heft 1, S. 261-264
    Online serialPeriodical
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    Physical Properties of Thin Films of GaAs and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As Grown by Solid-Arsenic-Based MOCVD
    Castillo-Ojeda, Roberto ; Diaz-Reyes, Joel ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 976 (2014-06-30), Heft 1, S. 25-29
    Online serialPeriodical
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    Structural and Electrical Properties of High C-Orientation GaN Films on Diamond Substrates
    Ma, Cheng Jiu ; Zhao, Li ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 662 (2013-04-11), Heft 1, S. 55-58
    Online serialPeriodical
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    Response Spectrum 0.9-2.65 μm of In<subscript>0.82</subscript>Ga<subscript>0.18</subscript>As Detectors by Two-Step Growth Technique
    Zhang, Tie Min ; Miao, Guo Qing ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 629 (2012-12-27), Heft 1, S. 209-213
    Online serialPeriodical
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    InGaAs Nanoflowers Grown by MOCVD
    Zhang, Tie Min ; Miao, Guo Qing ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 560 (2012-08-24), Heft 1, S. 747-750
    Online serialPeriodical
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    Novel Design of MOCVD Reactor with Three Radial Inward Flows for Epitaxial Growth of GaN Thin Films
    Yang, Liao Qiao ; Hu, Jian Zheng ; et al.
    In: Advanced Materials Research, Jg. 308 (2011-08-16), Heft 1, S. 1037-1040
    Online serialPeriodical
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