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    Global variability of UTBB MOSFET in subthreshold.
    Makovejev, S. ; Esfeh, B. Kazemi ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    SRAM row decoder design for wide voltage range in 28nm UTBB-FDSOI.
    Suraci, Gregory ; Giraud, Bastien ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    The activation energy dependence on the electric field in UTBOX SOI FBRAM devices.
    Nicoletti, T. ; Santos, S. D. ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Scaling perspectives of ULV microcontroller cores to 28nm UTBB FDSOI CMOS.
    de Streel, Guerric ; Bol, David
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    Design of a robust and ultra-low-voltage pulse-triggered flip-flop in 28nm UTBB-FDSOI technology.
    Bernard, Sebastien ; Valentian, Alexandre ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
    Online Konferenz
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    Performance analysis of multi-VT design solutions in 28nm UTBB FD-SOI technology.
    Pelloux-Prayer, Bertrand ; Blagojevic, Milovan ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    Evidence of mobility enhancement due to back biasing in UTBOX FDSOI high-k metal gate technology.
    Ben Akkez, I. ; Fenouillet-Beranger, C. ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
    Online Konferenz
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    UTBB FDSOI scaling enablers for the 10nm node.
    Grenouillet, L. ; Liu, Q. ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    DTMOS power switch in 28 nm UTBB FD-SOI technology.
    Le Coz, J. ; Pelloux-Prayer, B. ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    Robust clock tree using single-well cells for multi-VT 28nm UTBB FD-SOI digital circuits.
    Giraud, B. ; Noel, J. P. ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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    280mV sense amplifier designed in 28nm UTBB FD-SOI technology using back-biasing control.
    Feki, Anis ; Turgis, David ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013, S. 1-2
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