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    Recessed source/drain for scaling SOI MOSFET to the limit
    Ke, W. ; Han, X. ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 84
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    Coulomb Scattering induced mobility degradation in Ultrathin-body SOI MOSFETs with high-k gate stack
    Yang, J.F. ; Xia, Z.I. ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 1315
    Online Konferenz
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    The Impact of Device Structure and Quantum Mechanics on Effective E-Field in Ultra-thin Body and Double-gate SOI MOSFETs
    Tsz Yin Man ; Wu, Wen ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 1309
    Online Konferenz
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    An investigation of the effects of Si thickness-induced variation of the electrical characteristics in FDSOI with block oxide
    Eng, Y. C. ; Lin, J. T. ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 61
    Online Konferenz
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    An assessment of the performance for double gate Schottky barrier MOSFETs with modulated back gate
    Zhai, Yu-Jia ; Kang, Jin-Feng ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 87
    Online Konferenz
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    T-Shaped Body Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET
    Cao, Ji ; Li, Dingyu ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 1293
    Online Konferenz
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    Towards Unification of MOS Compact Models with the Unified Regional Approach
    Rustagi, S. ; Hsia, L. C. ; et al.
    In: 2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings, 2006-10-01, S. 1193
    Online Konferenz
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