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    1993 International Workshop On VLSI Process And Device Modeling (1993 VPAD) [front matter]
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 1993
    Online Konferenz
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    Comparison Between A Posteriori Error Indicators For Adaptive Mesh Generation In Semiconductor Device Simulation
    Tanaka, K. ; Ciampohni, P. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    An Efficient Impact Ionization Model For Silicon Monte Carlo Simulation
    Yao, C. S. ; Chen, D. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Dynamic-clustering And Grain-growth Kinetics Effects On Dopant Diffusion In Polysilicon
    Hane, M. ; Hasegawa, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    A Two-dimensional Process Model For Silicide Growth
    Li, C.M. ; Crandle, T. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Monte Carlo Analysis Of Hot Carrier Effects In Ultra Small Geometry MOSFETs
    Fiegna, C. ; Iwai, H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Massively Parallel Computation For Monte Carlo Device Simulation
    Hiroki, A. ; Odanaka, S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Theoretical Analysis Of Transconductance Enhancement Due To Electron Concentration Dependent Screening In Heavily Doped Systems
    Ho, Shirun ; Moriyoshi, A. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A Non-local Formulation Of Impact Ionization For Silicon
    Scrobohaci, P. ; Tang, Ting-wei
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Lifetime Prediction Model For Analog Devices Based On Drain Conductance Degradation Due To Hot Carrier Injection
    Kurachi, I. ; Hwang, Nam ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    From Layout To Circuit: Multi-dimensional Process And Device Simulation Current Status And Open Problems
    Fichtner, W.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Modeling And Simulation Of Anomalous Degradation Of Subb-um NMOS's Current-driving Due To Velocity-saturation Effect
    Tsuneno, K. ; Sato, H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    ROW-type Methods Applied To The Time Discretization Of Device Equations
    Colalongo, L. ; Rudan, M.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Three Dimensional Monte Carlo Simulation Of Ion Implantation With Octree Based Point Location
    Stippel, H. ; Selberherr, S.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Capacitance Calculation Of VLSI Multilevel Wiring Structures
    Bauer, R. ; Stiftinger, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Simulation Strategy For Process Optimization
    De Meyer, K.M. ; Cartuyvels, R. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A New Semi-empirical Model For Amorphous Silicon Thin-film-transistors
    Aoki, H. ; Khalily, E.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modelling Of Surface Reactions For Predicting Dry-etched Profiles
    Harafuji, K. ; Misaka, A. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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    Volltext
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Integrated Modeling Of The A1GaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor
    Desai, N.R. ; Van Hoang, K.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Equipment Simulation - State Of The Art And Future Challenges
    Werner, C.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD, 2005
    Online Konferenz
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