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    UTBoost: A Tree-boosting based System for Uplift Modeling.
    Gao, Junjie ; Zheng, Xiangyu ; et al.
    In: CoRR, Jg. abs/2312.02573 (2023)
    academicJournal
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    Development and evaluation of an Urdu treebank (CLE-UTB) and a statistical parser.
    Ehsan, Toqeer ; Hussain, Sarmad
    In: Lang. Resour. Evaluation, Jg. 55 (2021), Heft 2, S. 287-326
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Three-Stage Charge Pump With Forward Body Biasing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS.
    Pinheiro, Carlos A. ; Olivera, Fabián ; et al.
    In: IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap., Jg. 68 (2021), Heft 11, S. 4810-4819
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Closed-Form Analysis of Metastability Voltage in 28-nm UTBB FD-SOI CMOS Technology.
    Olivera, Fabian ; Petraglia, Antonio
    In: IEEE Trans. Circuits Syst. II Express Briefs, Jg. 67-II (2020), Heft 4, S. 625-629
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Performance-aware predictive-model-based on-chip body-bias regulation strategy for an ULP multi-core cluster in 28 nm UTBB FD-SOI.
    Alfio Di Mauro ; Rossi, Davide ; et al.
    In: Integr., Jg. 72 (2020), S. 194-207
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An Ultra-Low Voltage and Low-Energy Level Shifter in 28-nm UTBB-FDSOI.
    Ali Asghar Vatanjou ; Ytterdal, Trond ; et al.
    In: IEEE Trans. Circuits Syst. II Express Briefs, Jg. 66-II (2019), Heft 6, S. 899-903
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimal asymmetrical back plane biasing for energy efficient digital circuits in 28 nm UTBB FD-SOI.
    Veirano, Francisco ; Naviner, Lirida A. B. ; et al.
    In: Integr., Jg. 65 (2019), S. 211-218
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Correction to: Development and evaluation of an Urdu treebank (CLE-UTB) and a statistical parser.
    Ehsan, Toqeer ; Hussain, Sarmad
    In: Lang. Resour. Evaluation, Jg. 55 (2021), Heft 2, S. 327-328
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Performance-Aware Predictive-Model-Based On-Chip Body-Bias Regulation Strategy for an ULP Multi-Core Cluster in 28nm UTBB FD-SOI.
    Alfio Di Mauro ; Rossi, Davide ; et al.
    In: CoRR, Jg. abs/2007.13667 (2020)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology.
    Olivera, Fabian ; Petraglia, Antonio
    In: Microelectron. J., Jg. 78 (2018), S. 94-100
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A 6-Wire Plug and Play Clockless Distributed On-Chip-Sensor Network in 28 nm UTBB FD-SOI.
    Renaudin, Marc ; Bouzafour, Aymane ; et al.
    In: J. Low Power Electron., Jg. 14 (2018), Heft 3, S. 404-413
    academicJournal
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    A 32 kb 0.35-1.2 V, 50 MHz-2.5 GHz Bit-Interleaved SRAM With 8 T SRAM Cell and Data Dependent Write Assist in 28-nm UTBB-FDSOI CMOS.
    Grover, Anuj ; Visweswaran, G. S. ; et al.
    In: IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap., Jg. 64-I (2017), Heft 9, S. 2438-2447
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Pixel Pitch-Matched Ultrasound Receiver for 3-D Photoacoustic Imaging With Integrated Delta-Sigma Beamformer in 28-nm UTBB FD-SOI.
    Chen, Man-Chia ; Aldo Pena Perez ; et al.
    In: IEEE J. Solid State Circuits, Jg. 52 (2017), Heft 11, S. 2843-2856
    academicJournal
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    A 0.065-mm2 19.8-mW Single-Channel Calibration-Free 12-b 600-MS/s ADC in 28-nm UTBB FD-SOI Using FBB.
    Ashish Kumar 0001 ; Debnath, Chandrajit ; et al.
    In: IEEE J. Solid State Circuits, Jg. 52 (2017), Heft 7, S. 1927-1939
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 3×60Gb/s Transmitter/Repeater Front-End With 4.3VPP Single-Ended Output Swing in a 28nm UTBB FD-SOI Technology.
    Shopov, Stefan ; Voinigescu, Sorin P.
    In: IEEE J. Solid State Circuits, Jg. 51 (2016), Heft 7, S. 1651-1662
    academicJournal
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    Ultra-wide voltage range pulse-triggered flip-flops and register file with tunable energy-delay target in 28 nm UTBB-FDSOI.
    Bernard, Sebastien ; Belleville, Marc ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 57 (2016), S. 76-86
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An Equalizer With Controllable Transfer Function for 6-Gb/s HDMI and 5.4-Gb/s DisplayPort Receivers in 28-nm UTBB-FDSOI.
    Paramjeet Singh Sahni ; Suresh Chandra Joshi ; et al.
    In: IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., Jg. 24 (2016), Heft 8, S. 2803-2807
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    On the need for a new ESD verification methodology to improve the reliability of ICs in advanced 28nm UTBB FD-SOI technology.
    Viale, Benjamin ; Fer, Mathieu ; et al.
    In: Microelectron. Reliab., Jg. 64 (2016), S. 101-108
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28 nm & 14 nm UTBB FDSOI nodes.
    Ndiaye, Cheikh ; Huard, Vincent ; et al.
    In: Microelectron. Reliab., Jg. 64 (2016), S. 158-162
    academicJournal
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    Low-Leakage SRAM Wordline Drivers for the 28-nm UTBB FDSOI Technology.
    Corsonello, Pasquale ; Frustaci, Fabio ; et al.
    In: IEEE Trans. Very Large Scale Integr. Syst., Jg. 23 (2015), Heft 12, S. 3133-3137
    academicJournal
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