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    Constructing GRACE-Based 1 km Resolution Groundwater Storage Anomalies in Arid Regions Using an Improved Machine Learning Downscaling Method: A Case Study in Alxa League, China.
    Wang, Jie ; Xu, Duanyang ; et al.
    In: Remote. Sens., Jg. 15 (2023), Heft 11, S. 2913
    academicJournal
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    The Latest Desertification Process and Its Driving Force in Alxa League from 2000 to 2020.
    Xie, Jiali ; Lu, Zhixiang ; et al.
    In: Remote. Sens., Jg. 15 (2023), Heft 19, S. 4867
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved Performance of GaN-Based Ultraviolet LEDs With Electron Blocking Layers Composed of Double-Peak p-Type AlxGa1-xN/GaN Superlattice Layers.
    Huang, Yong ; Guo, Zhiyou ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 9 (2021), S. 65246-65253
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    AlN-capped P-(AlxGal-x)2O3/Ga2O3 heterostructure field-effect transistors for near-junction thermal management of next generation power devices.
    James Spencer Lundh ; Masten, Hannah N. ; et al.
    In: DRC, 2022, S. 1-2
    Konferenz
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    ALX: Large Scale Matrix Factorization on TPUs.
    Mehta, Harsh ; Rendle, Steffen ; et al.
    In: CoRR, Jg. abs/2112.02194 (2021)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Isotherm Theoretical Study of the AlxGa1-xAsySb1-y Quaternary Alloy Using the Regular Solution Approximation for Its Possible Growth via Liquid-Phase Epitaxy at Low Temperatures.
    Gastellou, Erick ; García, Rafael ; et al.
    In: Entropy, Jg. 24 (2022), Heft 12, S. 1711
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Remotely sensed surface characteristics of three deserts in the Alxa Plateau, Inner Mongolia, China.
    Liu, Qingsheng ; Liu, Gaohuan ; et al.
    In: IGARSS, 2017, S. 55-58
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optical properties of AlxIn1-xP ternary semiconductor alloys.
    Mezrag, Fadila ; Bouarissa, Nadir
    In: J. Comput. Methods Sci. Eng., Jg. 18 (2018), Heft 1, S. 299-305
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sensitive Planar Microwave Diode on the Base of Ternary AlxGa1-xAs Semiconductor Compound.
    Anbinderis, Maksimas ; Asmontas, Steponas ; et al.
    In: Sensors, Jg. 21 (2021), Heft 13, S. 4487
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design and Demonstration of (AlxGal-x)2O3/Ga2O3Double Heterostructure Field Effect Transistor (DHFET).
    Zhang, Yuewei ; Xia, Zhanbo ; et al.
    In: DRC, 2018, S. 1-2
    Konferenz
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    Microstructures and Crackling Noise of AlxNbTiMoV High Entropy Alloys.
    Shu Ying Chen ; Yang, Xiao ; et al.
    In: Entropy, Jg. 16 (2014), Heft 2, S. 870-884
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    The reflexive least squares solutions of the matrix equation A1X1B1+A2X2B2+... +AlXlBl=C with a submatrix constraint.
    Peng, Zhuohua
    In: Numer. Algorithms, Jg. 64 (2013), Heft 3, S. 455-480
    academicJournal
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    Bringing studio quality video-conferences to wide area IP networks with an adaptation layer translator (ALX).
    Qiu, Ruibiao ; Kuhns, Fred ; et al.
    In: ICME (1), 2002, S. 29-32
    Konferenz
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    Electron transport in two dimensional electron gas formed at the heterojunction of AlxGa(1-x)N/GaN at microwave frequencies.
    Chakraborty, Amrita ; Chandan Kumar Sarkar
    In: Microelectron. Reliab., Jg. 50 (2010), Heft 7, S. 965-970
    academicJournal
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    AlxGa1-xN/GaN multi-quantum-well ultraviolet detector based on p-i-n heterostructures.
    Asgari, Asghar ; Ahmadi, Elnaz ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 40 (2009), Heft 1, S. 104-107
    academicJournal
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    Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0<=x<=1) alloys.
    Peres, Marco ; Magalhães, Sérgio ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 40 (2009), Heft 2, S. 377-380
    academicJournal
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    Impurity states in a spherical GaAs-Ga1-x AlxAs quantum dots: Effects of hydrostatic pressure.
    Pérez-Merchancano, S. T. ; Franco, R. ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 39 (2008), Heft 3-4, S. 383-386
    academicJournal
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    The application of polyimide/silicon nitride dual passivation to AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors.
    Wai Shing Lau ; Gunawan, S. ; et al.
    In: Microelectron. Reliab., Jg. 48 (2008), Heft 2, S. 187-192
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Wang, Xiaoyan ; Wang, Xiaoliang ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 38 (2007), Heft 8-9, S. 838-841
    academicJournal
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    Effects of high doping on the bandgap bowing for AlxGa1-xN.
    Safta, Nabil ; Mejri, Houcine ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 37 (2006), Heft 11, S. 1289-1292
    academicJournal
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