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    Properties and use of ln<subscript>0.5</subscript>(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>0.5</subscript>P and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript> as native oxides in heterostructure lasers
    Kish, F. ; Caracci, . ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-12-14), Heft 12, S. 1133-1139
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    Effect of surface encapsulation and As4overpressure on Si diffusion and impurity-induced layer disordering in GaAs, AlxGa1-xAs, and AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures
    Guido, L. J. ; Plano, W. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 17 (1988), Heft 1, S. 53-56
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    Properties of Ge-doped GaAs and AlxGa1−xAs, Sn-doped AlxGa1−xAs and Si-Te-doped GaAs
    Shih, K. K. ; Pettit, G. D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 3 (1974-05-01), Heft 2, S. 391-408
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    Study of optical and electrical properties of AlxGa1−xSb grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Ramelan, A. H. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-08-01), Heft 8, S. 965-971
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    High-temperature hysteretic electronic effects of (AlxGa1−x)0.5In0.5P (x>0.65)
    Bieg, B. ; Cederberg, J. G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-02-01), Heft 2, S. 231-236
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    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-01-07), Heft 1, S. 47-52
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    Photoluminescences from AlxGa1−xP liquid phase epitaxial layers
    Yu, T. J. ; Matsuo, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 28 (1999-10-01), Heft 10, S. 1101-1107
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    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
    Sundaram, V. ; Fraas, L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-13), Heft 11, S. 1047-1050
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    Reduction of deep levels in MOCVD-regrown Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as interfaces by (NH<subscript>4</subscript>)<subscript>2</subscript>S passivation and in-situ HCl etching
    Guel, G. ; Armour, E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-13), Heft 11, S. 1051-1056
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    Alkoxide precursors for controlled oxygen incorporation during metalorganic vapor phase epitaxy GaAs and AlxGa1−xAs growth
    Huang, J. W. ; Gaines, D. F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-07-01), Heft 7, S. 659-667
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    Acceptor and donor doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N thin film alloys grown on 6H-SiC(0001) substrates via metalorganic vapor phase epitaxy
    Bremser, M. ; Perry, W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-04-29), Heft 4, S. 229-232
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    Ultraviolet photoluminescence from undoped and zn doped AlxGa1−xN with x between 0 and 0.75
    Lee, H. G. ; Gershenzon, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-10-01), Heft 10, S. 621-625
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    Germanium as a deep level in alxga1− xas grown by organometallic vapor phase epitaxy
    Green, R. T. ; Lee, W. I.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-10-01), Heft 10, S. 583-587
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    Use of tertiarybutylphosphine for OMVPE growth of (AlxGa1-x)o.51 In0.49P
    Cao, D. S. ; Stringfellow, G. B.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991), Heft 1, S. 97-101
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    Molecular beam epitaxy and characterization of AlxGa1-xAsySb1-y(0.0 ≤x≤ 1.0) lattice matched to InAs substrates
    Lott, J. A. ; Dawson, L. R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-09-01), Heft 9, S. 989-993
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    Some properties of chemically vapor deposited films of AlxOyNzon silicon
    Irene, E. A. ; Silvestri, V. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 4 (1975-06-01), Heft 3, S. 409-427
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    Effect of Se-doping on deep impurities in AlxGa1−xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Chen, J. C. ; Huang, Z. C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1677-1682
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    Hall analysis of the electrical properties of n-type AlxGa1-xAs grown by MOVPE
    Leitch, A. W. R. ; Raubenheimer, D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1429-1432
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    MBE growth and properties of GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N on GaN/SiC substrates
    Johnson, M. ; Fujita, Shizuo ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 793-797
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    Growth and evaluation of lpe graded composition AlxGa1−xAs layers for high efficiency graded bandgap solar cells
    Sahai, R. ; Harris, J. S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 6 (1977-11-01), Heft 6, S. 645-658
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