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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T. ; Tobita, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 221 (2000), Heft 1, S. 212-219
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    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH~3
    Hwang, J. S. ; Tanaka, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 200 (1999), Heft 1, S. 63-69
    Online serialPeriodical
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    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, S. ; Fujimura, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 189 (1998), Heft 1, S. 340-343
    Online serialPeriodical
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    A new method for controlled carbon doping in LP-MOVPE of GaAs using TMAs and mixtures of TMGa/TEGa
    Hardtdegen, H. ; Raafat, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 156 (1995), Heft 4, S. 333-336
    Online serialPeriodical
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    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 132 (1993), Heft 3, S. 364-364
    Online serialPeriodical
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    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH~3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 124 (1992), Heft 1, S. 220-220
    Online serialPeriodical
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    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 127 (1993), Heft 1, S. 1059-1059
    Online serialPeriodical
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    Epitaxial growth of BGaAs and BGaInAs by MOCVD
    Geisz, J.F. ; Friedman, D.J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 225 (2001-05-01), Heft 2-4, S. 372-376
    Online serialPeriodical
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    Electrical activation of carbon δ-doped (Al,Ga)As grown by metalorganic vapour-phase epitaxy
    Li, G. ; Petravić, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 173 (1997-04-01), Heft 3-4, S. 302-306
    Online serialPeriodical
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    Characteristics of GaSb growth using various gallium and antimony precursors
    Wang, C.A. ; Salim, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 170 (1997), Heft 1-4, S. 55-60
    Online serialPeriodical
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    The carbon doping mechanism in GaAs using trimethylgallium and trimethylarsenic
    Kohda, Hiroki ; Wada, Kazumi
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 167 (1996-10-01), Heft 3-4, S. 557-565
    Online serialPeriodical
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    Selective area MOVPE growth of InP, InGaAs and InGaAsP using TBAs and TBP at different growth conditions
    Zimmermann, G. ; Ougazzaden, A. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 170 (1997), Heft 1-4, S. 645-649
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    Growth of modulation-doped GaAsAlGaAsquantum wires on V-groove patterned substrates
    Hartmann, A. ; Bongartz, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 170 (1997), Heft 1-4, S. 605-610
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    Stagnant film model of the effect of natural convection on the dendrite operating state
    Sekerka, R.F. ; Coriell, S.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 154 (1995-09-02), Heft 3-4, S. 370-376
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    Growth and p-type doping of GaN on c-plane sapphire by nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy
    Yoo, Myung C. ; Park, M.Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 175 (1997-05-01), Heft 1, S. 100-106
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A multigrid solver for fluid flow and mass transfer coupled with grey-body surface radiation for the numerical simulation of chemical vapor deposition processes
    Durst, F. ; Kadinski, L. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 146 (1995), Heft 1-4, S. 202-208
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    Investigations on deep traps in GaAs and (AlxGa1−x)As bulk layers grown by metalorganic vapour-phase epitaxy using the new alternative arsenic precursor diethyl-tert-butylarsin
    Spika, Z. ; Zimmermann, G. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 146 (1995), Heft 1-4, S. 521-526
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    MOCVD of GaAs in a horizontal reactor: modeling and growth
    Black, Linda R. ; Clark, Ivan O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 109 (1991-02-02), Heft 1-4, S. 241-245
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Photoluminescence and electrical properties of MOVPE-grown zinc-doped gallium antimonide on gallium arsenide
    Hjelt, Kari ; Tuomi, Turkka
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 170 (1997), Heft 1-4, S. 794-798
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    Heavily carbon-doped GaAs grown on various oriented GaAs substrates by MOMBE
    Hatatani, Shigeo ; Guo, Li-Qi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 170 (1997), Heft 1-4, S. 297-300
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