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    Comparative Equilibrium Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) GaAs Growth Using Trimethylgallium (TMGa) with Arsine or Trimethylarsine (TMAs)
    Abril, Evaristo José ; Alonso, Alonso ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-06-01), Heft 6, S. 1721-1721
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    A Mass Spectrometric Study of the Decomposition of Trimethylgallium (TMGa) with Trimethylarsine (TMAs)
    Masataka Hoshino, Masataka Hoshino
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-04-01), Heft 4, S. 984-984
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    On the Reaction Mechanism of the Pyrolyses of TMG and TEG in MOCVD Growth Reactors
    Tsuda, Minoru ; Oikawa, Setsuko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 26 (1987-05-01), Heft 5, S. L564
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    Gas-phase study of the behavior of trimethyl gallium and triethyl gallium by optical emission spectroscopy and quadrupole mass spectroscopy for the growth of GaN by REMOCVD (radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition)
    Dhasiyan, Arun Kumar ; Jayaprasad, Swathy ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 62 (2023-11-01), Heft Supplement 14, S. SN1019
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    Analytical Threshold Model for Nanoscale Cylindrical Surrounding-Gate Metal--Oxide--Semiconductor Field Effect Transistor with High-$\kappa$ Gate Dielectric and Tri-Material Gate Stack
    Li, Cong ; Zhuang, Yi-Qi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-12-25), Heft 12, S. 124202-124206
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    Thermodynamic analysis of trimethylgallium decomposition during GaN metal organic vapor phase epitaxy
    Sekiguchi, Kazuki ; Shirakawa, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-11-01), Heft 11, Supplement 11, S. 04FJ03
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    Thermodynamic Analysis of Coherently Grown GaAsN/Ge: Effects of Different Gaseous Sources
    Kawano, Jun ; Kangawa, Yoshihiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-25), Heft 4, S. 45601-45605
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    Control of In Surface Segregation and Inter-Diffusion in GaAs on InGaP Grown by Metal--Organic Vapor Phase Epitaxy
    Fukushima, Yasuyuki ; Nakano, Takayuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-05-25), Heft 5, S. 55601-55605
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    Indium-Rich InGaP Nanowires Formed on InP (111)A Substrates by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
    Ishizaka, Fumiya ; Ikejiri, Keitaro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-25), Heft 4, S. 04CH05
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    Kinetics of GaAs Metalorganic Chemical Vapor Deposition Studied by Numerical Analysis Based on Experimental Reaction Data
    Sugiyama, Masakazu ; Feron, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 39 (2000-04-01), Heft 4, S. 1642-1642
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    Epitaxial Growth of the GaN Film by Remote-Plasma Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Lai, Wei-Chi ; Chang, Chun-Yen ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-10-01), Heft 10, S. 5465-5465
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    Inductively Coupled Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of SiO2and GeO2-SiO2Films for Optical Waveguides Using Tetraethylorthosilicate and Tetramethylgermanium
    Hattori, Tetsuya ; Semura, Shigeru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 38 (1999-05-01), Heft 5, S. 2775-2775
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    High quality Al0.99Ga0.01N layers on sapphire substrates grown at 1150 °C by metalorganic vapor phase epitaxy
    Katsuno, Shota ; Yasuda, Toshiki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-10-01), Heft 1, S. 015504-15504
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    Low Temperature Growth of Heavily Carbon-Doped GaAs by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy with Elemental Gallium
    Nagao, Keisuke ; Shirakashi, Jun-ichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-11-01), Heft 11, S. 6090-6090
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    Adsorption and Decomposition of Organometallics on GaAs Surfaces in Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Michio Sato, Michio Sato ; Markus Weyers, Markus Weyers
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-11-01), Heft 11, S. L1911
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    Selective Area Epitaxy of GaAs Using GaAs Oxide as a Mask
    Hiratani, Yuji ; Ohki, Yoshimasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-08-01), Heft 8, S. L1360
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    Analysis of GaAs MOMBE Reactions by Mass Spectrometry
    Ohki, Yoshimasa ; Hiratani, Yuji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 28 (1989-09-01), Heft 9, S. L1486
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    The Mechanism of Self-Limiting Growth of Atomic Layer Epitaxy of GaAs by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy Using Trimethylgallium and Arsine
    Watanabe, Akiyoshi ; Isu, Toshiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 28 (1989-07-01), Heft 7, S. L1080
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    Transmission Electron Microscope Observation of Cubic GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy with Dimethylhydrazine on (001) GaAs
    Kuwano, Noriyuki ; Nagatomo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994), Heft 1, S. 18-18
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    Temperature-Programmed Scattering (TPS) Study on Reactivity Difference of GaAs and GaAs Oxide Surfaces
    Sasaki, Masahiro ; Seikoh Yoshida, Seikoh Yoshida ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-10-01), Heft 10, S. L1458
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