Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
22 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

22 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Features of Optical Gain in Heavily Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>N:Si-Structures
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-09-01), Heft 9, S. 692-695
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 – x – y</subscript>P<subscript>z</subscript>As<subscript>1 – z</subscript>/GaAs Graded-Gap Heterostructures for Photovoltaic Converters
    Lunin, L. S. ; Lunina, M. L. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 48 (2022-02-01), Heft 2, S. 82-85
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Optical Gain in Heavily Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>N:Si Structures
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-09-01), Heft 9, S. 951-954
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Elemental and Structural Mapping of Czochralski-Grown Bulk (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Crystals
    Bauman, D. A. ; P’yankova, L. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-03-01), Heft 3, S. 218-221
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 – x</subscript>As/GaAs Photodiodes
    Kalinovskii, V. S. ; Kontrosh, E. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-11-01), Heft 11, S. 1013-1016
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Determination of Some Photoluminescence Parameters of Ca(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>S<subscript>4</subscript>:Eu<superscript>2+</superscript>
    Asadov, E. G. ; Gadzhieva, G. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-02-01), Heft 2, S. 79-81
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Use of high-purity Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>as layers in epitaxial structures for high-power microwave field-effect transistors
    Zhuravlev, K. S. ; Toropov, A. I. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 25 (1999-08-01), Heft 8, S. 595-597
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Photoluminescence properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x </subscript>As epitaxial layers grown under conditions of ultrafast flux cooling
    Abramov, A. V. ; Deryagin, A. G. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 23 (1997-03-01), Heft 3, S. 172-174
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dielectric and Pyroelectric Properties of Composites Based on Aluminum and Gallium Nitrides Grown by Chloride-Hydride Epitaxy on a Silicon Carbide-on-Silicon Substrate
    Solnyshkin, A.V. ; Sergeeva, O. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-06-01), Heft 6, S. 466-469
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A TEM Study of AlN–AlGaN–GaN Multilayer Buffer Structures on Silicon Substrates
    Myasoedov, A. V. ; Sakharov, A. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 46 (2020-10-01), Heft 10, S. 991-995
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The influence of aluminum content on the surface morphology of heavily doped (Al)GaN mesastrip structures grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy
    Lundin, W. V. ; Zavarin, E. E. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 41 (2015-10-01), Heft 10, S. 1006-1009
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of the AlGaAs Seed Layer Composition on Antiphase Domains Formation in (Al)GaAs Structures Grown by Vapor-Phase Epitaxy on Ge/Si(100) Substrates
    Rykov, A. V. ; Kryukov, R. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 47 (2021-05-01), Heft 5, S. 413-416
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Using AlN Coatings to Protect the Surface of AlGaAs/GaAs System Heterostructures from Interaction with Atmospheric Oxygen
    Fomin, E. V. ; Bondarev, A. D. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 46 (2020-03-01), Heft 3, S. 268-271
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Localization of Upper-Valley Electrons in a Narrow-Bandgap Channel: a Possible Additional Mechanism of Current Increase in DA–DpHEMT
    Pashkovskii, A. B. ; Bogdanov, S. A.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-10-01), Heft 10, S. 1020-1023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Tritium Power Supply Sources Based on AlGaAs/GaAs Heterostructures
    Khvostikov, V. P. ; Kalinovskii, V. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 45 (2019-12-01), Heft 12, S. 1197-1199
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-Efficiency AlGaAs/GaAs Photovoltaic Converters with Edge Input of Laser Light
    Khvostikov, V. P. ; Pokrovskii, P. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-09-01), Heft 9, S. 776-778
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Photovoltaic Characteristics of AlGaAs-Based LEDs
    Sokolovskii, A. A.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-04-01), Heft 4, S. 341-343
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Thermostimulated luminescence of Ca(Al<subscript> x </subscript>Ga<subscript>1–x </subscript>)<subscript>2</subscript>S<subscript>4</subscript>Eu<superscript>2+</superscript> crystals
    Asadov, E. G. ; Kazimova, F. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 43 (2017-02-01), Heft 2, S. 201-204
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping
    Bokhan, P. A. ; Zhuravlev, K. S. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 43 (2017), Heft 1, S. 46-49
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Solar-blind Al<subscript> x </subscript>Ga<subscript>1–x </subscript>N (x > 0.45) p–i–n photodiodes with a polarization-p-doped emitter
    Kuznetsova, N. V. ; Nechaev, D. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 42 (2016-06-01), Heft 6, S. 635-638
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -