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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 490 (2018-05-15), S. 56-60
    Online academicJournal
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004), Heft 3, S. 388-393
    Online academicJournal
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003), S. 119-123
    Online academicJournal
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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 221 (2000), Heft 1, S. 212-219
    Online academicJournal
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    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH 3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 200 (1999), Heft 1, S. 63-69
    Online academicJournal
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    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 189-190 (1998-06-15), S. 340-343
    Online academicJournal
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    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 127 (1993), Heft 1, S. 1059-1063
    Online academicJournal
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    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH 3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, Chr. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 124 (1992), Heft 1, S. 220-226
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The influence of TMA and SiH 4 on the incorporation rate of Ga in Al xGa 1− xN crystals grown from TMG and NH 3
    Sayyah, Keyvan ; Chung, Bu-Chin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 424-429
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    GaP and GaAs films grown by vacuum chemical epitaxy using TEGa and TMGa sources
    Fraas, L.M. ; McLeod, P.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 386-391
    Online academicJournal
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    MOCVD in inverted stagnation point flow: I. Deposition of GaAs from TMAs and TMGa
    Lee, Peter ; McKenna, Don ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 120-127
    Online academicJournal
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    Studies of TMGa adsorption on thin GaAs and InAs (001) layers
    Maa, B.Y. ; Dapkus, P.D.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 105 (1990), Heft 1, S. 213-220
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CH yX 4 − y, TMG and AsH 3
    Buchan, N.I. ; Kuech, T.F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991), Heft 3, S. 405-414
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 132 (1993), Heft 3, S. 364-370
    Online academicJournal
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    Growth of carbon-doped base GaAs/AlGaAs HBT by gas-source MBE using TEG, TEA, TMG, AsH 3, and Si 2H 6
    Ando, Hideyasu ; Fujii, Toshio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 120 (1992), Heft 1, S. 228-233
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    The electrical, optical and crystalline properties of GaAs: C grown by GSMBE using TMG and AsH 3 for application to HBTs
    Sandhu, A. ; Nakamura, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 120 (1992), Heft 1, S. 296-300
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    RHEED studies of MOMBE growth using TMGa or TEGa with As 2
    Lacklison, D.E. ; Foxon, C.T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 120 (1992), Heft 1, S. 50-56
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigations on the compositional non-uniformity of selectively grown Ga xIn 1−xP by LP-MOCVD using EDMI, TMI, TEG, and TMG as group III sources
    Chan, Shih-Hsiung ; Chang, Chun-Yen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 145 (1994), Heft 1, S. 978-980
    Online Zeitungsartikel
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