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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As.
    Glew, Richard ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition.
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1111-1124
    academicJournal
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED.
    Kim, Dohyun ; Song, Keun Man ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 10 (2020-02-15), Heft 4, S. 1514-1523
    Online academicJournal
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    Selective Area Heteroepitaxy of p-i-n Junction GaP Nanopillar Arrays on Si (111) by MOCVD.
    Choi, Wonsik ; Huang, Hsien-Chih ; et al.
    In: IEEE Journal of Quantum Electronics, Jg. 58 (2022-08-01), Heft 4, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
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    Effects of Ga Supply on the Growth of (11‐22) AlN on <italic>m</italic>‐Plane (10‐10) Sapphire Substrates.
    Jo, Masafumi ; Hirayama, Hideki
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 255 (2018-05-01), Heft 5, S. 1-4
    Online academicJournal
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    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine.
    Moon, Hyukju ; Stoebe, Thomas ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
    Online academicJournal
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia.
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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    Microstrip Array Ring FETs with 2D p-Ga 2 O 3 Channels Grown by MOCVD.
    Razeghi, Manijeh ; Lee, Junhee ; et al.
    In: Photonics, Jg. 8 (2021-12-01), Heft 12, S. 578
    Online academicJournal
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    Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate.
    Rozhavskaya, Mariya M. ; Lundin, Wsevolod V. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 441-444
    academicJournal
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    EFFECT OF CAPPING LAYER ON In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N QUANTUM DOTS GROWN USING NNAD METHOD BY MOCVD.
    SONG, HEON ; NAVAMATHAVAN, R. ; et al.
    In: International Journal of Nanoscience, Jg. 8 (2009-02-01), Heft 1/2, S. 197-201
    academicJournal
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    GaSb/AlGaSb COMPOUND SEMICONDUCTORS GROWN BY MOCVD FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS.
    RAMELAN, A. H. ; YAHYA, I. ; et al.
    In: Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials, Jg. 15 (2006-09-01), Heft 3, S. 323-329
    academicJournal
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    Study of optical and electrical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>Sb grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Ramelan, A. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-08-01), Heft 8, S. 965-971
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of AlGa as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane.
    Sundaram, V. ; Fraas, L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
    Online academicJournal
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    Hall effect analysis of high purity p-type GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kim, M. ; Bose, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-09-01), Heft 9, S. 671-679
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Selective area growth of GaAs with semiconductor-metal-semiconductor structures using pulsed-mode operation of MOCVD.
    Hong, Chang-Hee ; Kim, Chang-Tae ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-10-01), Heft 10, S. 1141-1144
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    Carbon tetrachloride doped AlGaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cunningham, B. ; Baker, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 331-335
    Online academicJournal
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