Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
24 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Verlag

Publikation

Sprache

Inhaltsanbieter

24 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Influences of group-III source preflow on the polarity, optical, and structural properties of GaN grown on nitridated sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition.
    Li, Chengguo ; Liu, Hongfei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-03-28), Heft 12, S. 125305-1- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates.
    Zhang, Dong ; Bai, Yizhen ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-02-01), Heft 2, S. 353-358
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Reaction mechanisms in the organometallic vapor phase epitaxial growth of GaAs.
    Larsen, C. A. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-08), Heft 6, S. 480-482
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Microstrip Array Ring FETs with 2D p-Ga 2 O 3 Channels Grown by MOCVD.
    Razeghi, Manijeh ; Lee, Junhee ; et al.
    In: Photonics, Jg. 8 (2021-12-01), Heft 12, S. 578
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique.
    Byung Oh Jung ; Bae, Si-Young ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014-03-18), Heft 11, S. 2273-2282
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Thickness inhomogeneities and growth mechanisms of GaP heteroepitaxy by organometallic chemical vapor deposition.
    Liu, X. ; Aspnes, D. E.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 28 (2010-07-01), Heft 4, S. 583-589
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    EFFECT OF CAPPING LAYER ON In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N QUANTUM DOTS GROWN USING NNAD METHOD BY MOCVD.
    SONG, HEON ; NAVAMATHAVAN, R. ; et al.
    In: International Journal of Nanoscience, Jg. 8 (2009-02-01), Heft 1/2, S. 197-201
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effect of controlled growth rate on the tilt mosaic microstructure of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire.
    Lee, Yong Seok ; Kim, Hun ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1399 (2011-12-22), Heft 1, S. 111-112
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Epitaxial Growth of GaAs on Ge/Si Substrates by MOCVD.
    Okamoto, Kotaro ; Yukawa, Teizo ; et al.
    In: Electronics & Communications in Japan, Part 2:, Jg. 68 (1985-09-01), Heft 5, S. 44-51
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Sn-seeded GaAs nanowires grown by MOVPE.
    Sun, Rong ; Vainorius, Neimantas ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-05-27), Heft 21, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and arsine.
    Hanna, M. C. ; Lu, Z. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-09-10), Heft 11, S. 1120-1122
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Carbon tetrachloride doped AlxGa1-xAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cunningham, B. T. ; Baker, J. E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 836-838
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    GaInAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy.
    Cherng, M. J. ; Stringfellow, G. B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-02-10), Heft 6, S. 419-421
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -