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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    A study of parasitic reactions between NH and TMGa or TMAI.
    Chen, C. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1004-1008
    Online academicJournal
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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition.
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1111-1124
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Challenges in atomic layer etching of gallium nitride using surface oxidation and ligand-exchange.
    Messina, Daniel C. ; Hatch, Kevin A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-03-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Study of Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Deposition by MOVPE from Trimethylgallium and Oxygen in a Wide Temperature Range.
    Lundin, V. V. ; Rodin, S. N. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 49 (2023-12-04), S. S211- (4S.)
    Online academicJournal
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    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures.
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules, Jg. 27 (2022-12-01), Heft 23, S. 8123-8139
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-03-15), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence.
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 9, S. 5138-5143
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
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    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-06-01), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Effects of Initial GaN Growth Mode on Patterned Sapphire on the Opto-Electrical Characteristics of GaN-Based Light-Emitting Diodes.
    Chang, Hung-Ming ; Lai, Wei-Chih ; et al.
    In: Journal of Display Technology, Jg. 9 (2013-04-01), Heft 4, S. 292-296
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    Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates.
    Zhang, Dong ; Bai, Yizhen ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-02-01), Heft 2, S. 353-358
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    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface.
    Mazzarese, D. ; Jones, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
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    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
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    Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique.
    Byung Oh Jung ; Bae, Si-Young ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014-03-18), Heft 11, S. 2273-2282
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
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