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    Influence of Highly Efficient Carbon Doping on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE.
    Perkitel, Izel ; Kekül, Reyhan ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-09-01), Heft 9, S. 6042-6051
    Online academicJournal
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    Optical absorptions in AlxGa1-xAs/GaAs quantum well for solar energy application.
    Yang, X. F. ; Liu, Y. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 112 (2012-09-01), Heft 5, S. 54314-54318
    Online academicJournal
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    Theoretical study on photoemission of double-layer AlxGa1−xAs/GaAs nanocone array photocathode.
    Sun, Yan ; Liu, Lei ; et al.
    In: Modern Physics Letters B, Jg. 35 (2021-12-20), Heft 35, S. 1-12
    academicJournal
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    Full-zone k.p model for the electronic structure of unstrained GaAs1-xPx and strained AlxIn1-xAs alloys.
    Neffati, R. ; Saïdi, I. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 112 (2012-09-01), Heft 5, S. 53716-53727
    Online academicJournal
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    Role of AlxGa1-xAs buffer layer in heterogeneous integration of GaAs/Ge.
    Chia, C. K. ; Dalapati, G. K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-03-15), Heft 6, S. 66106-66108
    Online academicJournal
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    The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 - x</subscript>As/GaAs Photodiodes.
    Kalinovskii, V. S. ; Kontrosh, E. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-11-01), Heft 11, S. 1013-1016
    Online academicJournal
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    Enhancement in Sensitivity of a Surface Plasmon Resonance Sensor with Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As, 70% Al.
    Guerinik, Amine ; Tayeboun, Fatima
    In: Progress in Electromagnetics Research Letters, Jg. 92 (2020-06-01), S. 125-132
    academicJournal
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    Photoreflectance of AlxGa1-xAs and AlxGa1-xAs/GaAs interfaces and high-electron-mobility transistors.
    Sydor, Michael ; Jahren, Neal ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 67 (1990-06-15), Heft 12, S. 7423-7429
    Online academicJournal
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    Quantum dots in the GaAs/Al<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1- x</subscript> As core-shell nanowires: Statistical occurrence as a function of the shell thickness.
    Francaviglia, Luca ; Fontana, Yannik ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 107 (2015-07-20), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Exchange interaction effect on the dark current in n-type AlxGa1-xAs/GaAs multiple quantum wells...
    Huang, Danhong ; Manasreh, M.O.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 81 (1997-02-01), Heft 3, S. 1305-1310
    Online academicJournal
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    Photoexcited states of DX centers in Si doped AlxGa1-xAs.
    Jia, Y. B. ; Grimmeiss, H. G.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-09-15), Heft 6, S. 3493-3503
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    Photovoltaic properties of an AlxGa1-xAs solar cell (x=0–0.22) grown on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition and thermal cycle annealing.
    Soga, T. ; Kato, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996-06-15), Heft 12, S. 9375-9378
    Online academicJournal
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    Localized system with a mobility edge in epitaxial compensated AlxGa1-xAs.
    Maaref, H. ; Kraiem, S.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996), Heft 1, S. 455-459
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    Pr3+ luminescence in GaAs and AlxGa1-xAs implanted with Pr.
    Thee, Paul L. ; Yeo, Yung Kee ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-10-01), Heft 7, S. 4651-4658
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    In situ reflectance anisotropy studies of AlxGa1-xAs layers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy.
    Morris, S. J. ; Zettler, J.-Th. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-04-01), Heft 7, S. 3115-3120
    Online academicJournal
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    Influence of the DX center on capacitance-voltage profiling for Si δ -doped AlxGa1-xAs.
    Yang, G. M. ; Seo, K. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-03-01), Heft 5, S. 2046-2051
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    Ion damage buildup and amorphization processes in AlxGa1-xAs.
    Tan, H. H. ; Jagadish, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995), Heft 1, S. 87-94
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    Optical properties of bulk AlxGa1-xAs.
    Lin, Chih-Hsiang ; Meese, J. M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-11-15), Heft 10, S. 6341-6348
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    Effect of annealing temperature on the hole concentration and lattice relaxation of carbon-doped GaAs and AlxGa1-xAs.
    Höfler, G. E. ; Höfler, H. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-12-01), Heft 11, S. 5318-5324
    Online academicJournal
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    A modified harmonic oscillator approximation scheme for the dielectric constants of AlxGa1-xAs.
    Terry, Fred L.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 70 (1991-07-01), Heft 1, S. 409-417
    Online academicJournal
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