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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> using TMGa as precursor.
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Al Incorporation up to 99% in Metalorganic Chemical Vapor Deposition‐Grown Monoclinic (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films Using Trimethylgallium.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 17 (2023-10-01), Heft 10, S. 1-16
    Online academicJournal
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    Mechanical Properties and Creep Behavior of Undoped and Mg-Doped GaN Thin Films Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition.
    Khalfallah, Ali ; Benzarti, Zohra
    In: Coatings (2079-6412), Jg. 13 (2023-06-01), Heft 6, S. 1111-1124
    academicJournal
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-03-15), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
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    Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition.
    Ji, Xianghai ; Yang, Xiaoguang ; et al.
    In: Nanoscale Research Letters, Jg. 12 (2017-06-26), Heft 1, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-06-01), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as "Ga" source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition.
    Alevli, Mustafa ; Haider, Ali ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 34 (2016), Heft 1, S. 1A137-1- (6S.)
    Online academicJournal
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    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
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    Effect of trimethylgallium flow on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells.
    Zhang, J.C. ; Wang, J.F. ; et al.
    In: Journal of Applied Crystallography, Jg. 37 (2004-06-01), Heft 3, S. 391-394
    Online academicJournal
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    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
    Online academicJournal
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
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    Molecular stream epitaxy of ultrathin InGaAs/GaAsP superlattices.
    Katsuyama, T. ; Tischler, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-08-17), Heft 7, S. 529-531
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    Grown-in defects in multi-epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions.
    Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-12-01), Heft 11, S. 1180-1182
    Online academicJournal
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    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
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    Catalyst-free selective-area epitaxy of GaAs nanowires by metal-organic chemical vapor deposition using triethylgallium.
    Kim, Hyunseok ; Ren, Dingkun ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-02-23), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Growth of AlGaSb Compound Semiconductors on GaAs Substrate by Metalorganic Chemical Vapour Deposition.
    Ramelan, A. H. ; Harjana, H. ; et al.
    In: Advances in Materials Science & Engineering, 2010, S. 1-8
    Online academicJournal
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