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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As.
    Glew, Richard ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
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    A study of parasitic reactions between NH and TMGa or TMAI.
    Chen, C. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1004-1008
    Online academicJournal
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI-doped inGaAs.
    Stockman, S. ; Hanson, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-08-01), Heft 8, S. 791-799
    Online academicJournal
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    A study of the OMVPE growth mechanisms using internal reflectance spectroscopy to examine adsorption of TMGa and NH and surface reactions between them.
    Tripathi, A. ; Mazzarese, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989), Heft 1, S. 45-51
    Online academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence.
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 9, S. 5138-5143
    Online academicJournal
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    Growth study of AlGaAs using dimethylethylamine alane as the aluminum precursor.
    Hou, H. ; Breiland, W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), Heft 10, S. 1178-1183
    Online academicJournal
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    Trisneopentylgallium as a precursor for atomic layer epitaxy of GaAs.
    Yeo, P. ; Arès, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), Heft 10, S. 1174-1177
    Online academicJournal
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    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition.
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), Heft 9, S. 1554-1560
    Online academicJournal
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    Residual impurities in GaN/AlO grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Ishibashi, Akihiko ; Takeishi, Hidemi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 799-803
    Online academicJournal
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    Growth of GaAs by vacuum atomic layer epitaxy using tertiarybutylarsine.
    Jow, Ming ; Maa, Bang ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995), Heft 1, S. 25-29
    Online academicJournal
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    Adjusting trimethylgallium injection time to explore atomic layer epitaxy of GaAs between 425 and 500°C by organometallic vapor phase epitaxy.
    Wang, C. ; Tracy, D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-02-01), Heft 2, S. 185-189
    Online academicJournal
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    Tertiaybutyldimethylantimony for GaSb growth.
    Chen, C. ; Chiu, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993), Heft 1, S. 87-91
    Online academicJournal
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    Decomposition studies of tertiarybutyldimethylantimony.
    Cao, D. ; Chen, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-06-01), Heft 6, S. 583-588
    Online academicJournal
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    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface.
    Mazzarese, D. ; Jones, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
    Online academicJournal
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    Selective growth of GaAs and GaAlAs by Cl-assisted OMVPE at atmospheric pressure.
    Azoulay, R. ; Dugrand, L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 281-288
    Online academicJournal
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    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine.
    Moon, Hyukju ; Stoebe, Thomas ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
    Online academicJournal
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    Dimethylarsine: Pyrolysis mechanisms and use for OMVPE growth.
    Li, S. ; Larsen, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 299-304
    Online academicJournal
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    RHEED and XPS observations of trimethylgallium adsorption on GaAs (001) surfaces-Relevance to atomic layer epitaxy.
    Maa, B. ; Dapkus, P.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 289-294
    Online academicJournal
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia.
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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