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    Investigation of Self-Heating Effects in UTBB FD-SOI MOSFETs by a Modified Thermal Conductivity Model.
    Xing, Qian ; Su, Yali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4129-4137
    Online academicJournal
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    Impact of Aging Degradation on Heavy-Ion SEU Response of 28-nm UTBB FD-SOI Technology.
    Mounir Mahmoud, M. ; Prinzie, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 1865-1875
    Online academicJournal
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    Tractorul-UTB SA - in bankruptcy proceedings.
    In: SeeNews Research & Profiles (Company Profiles), 2012-11-01, S. 7490-7494
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Tractorul-UTB SA in bankruptcy proceedings.
    In: SeeNews Research & Profiles (Company Profiles), 2012-08-01, S. 2542-2545
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure.
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    Online academicJournal
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    Layout-Induced Strain Study for RF Performance Improvement of 22-nm UTBB FDSOI PFET.
    Sloyan, Karen ; Ravaux, Florent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3230-3237
    Online academicJournal
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    Influence of Supply Voltage and Body Biasing on Single-Event Upsets and Single-Event Transients in UTBB FD-SOI.
    de Boissac, Capucine Lecat-Mathieu ; Abouzeid, Fady ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 850-856
    Online academicJournal
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    Effects of Scaling on Analog FoMs of UTBB FD-SOI MOS Transistors: A Detailed Analysis.
    Bhoir, Mandar S. ; Mohapatra, Nihar R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3035-3041
    Online academicJournal
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    Photoelectric Characteristic Evaluation of Different Structured UTBB MOSFETs.
    Liu, Liqiao ; Chen, Wangyong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 1919-1923
    Online academicJournal
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    Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology.
    Cai, Chang ; Chen, Gengsheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 374-381
    Online academicJournal
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    Estimation of Muon-Induced SEU Rates for 65-nm Bulk and UTBB-SOI SRAMs.
    Manabe, Seiya ; Watanabe, Yukinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1398-1403
    Online academicJournal
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    Negative and Positive Muon-Induced Single Event Upsets in 65-nm UTBB SOI SRAMs.
    Manabe, Seiya ; Watanabe, Yukinobu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1742-1749
    Online academicJournal
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    Single-Event Transient Space Characterizations in 28-nm UTBB SOI Technologies and Below.
    de Boissac, Capucine Lecat-Mathieu ; Abouzeid, Fady ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021), Heft 1, S. 21-26
    Online academicJournal
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online academicJournal
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    Single Event Transient and TID Study in 28 nm UTBB FDSOI Technology.
    Liu, Rui ; Evans, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 113-118
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
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    HAD fabricated on UTB AlGaN/GaN heterostructure for high‐sensitivity zero‐bias microwave detection.
    Yun, Yu ; Xiong, Wei ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 55 (2019-11-01), Heft 23, S. 1303-1305
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Back-Gate Bias and Substrate Doping Influenced Substrate Effect in UTBB FD-SOI MOS Transistors: Analysis and Optimization Guidelines.
    Bhoir, Mandar S. ; Chauhan, Yogesh Singh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 861-867
    Online academicJournal
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