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    Investigation of Self-Heating Effects in UTBB FD-SOI MOSFETs by a Modified Thermal Conductivity Model.
    Xing, Qian ; Su, Yali ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4129-4137
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure.
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    Online academicJournal
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    Layout-Induced Strain Study for RF Performance Improvement of 22-nm UTBB FDSOI PFET.
    Sloyan, Karen ; Ravaux, Florent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3230-3237
    Online academicJournal
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    Effects of Scaling on Analog FoMs of UTBB FD-SOI MOS Transistors: A Detailed Analysis.
    Bhoir, Mandar S. ; Mohapatra, Nihar R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3035-3041
    Online academicJournal
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    Photoelectric Characteristic Evaluation of Different Structured UTBB MOSFETs.
    Liu, Liqiao ; Chen, Wangyong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 1919-1923
    Online academicJournal
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    Online academicJournal
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    Online academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    Online academicJournal
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    Back-Gate Bias and Substrate Doping Influenced Substrate Effect in UTBB FD-SOI MOS Transistors: Analysis and Optimization Guidelines.
    Bhoir, Mandar S. ; Chauhan, Yogesh Singh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-02-01), Heft 2, S. 861-867
    Online academicJournal
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    Quasi-Schottky-Barrier UTBB SOI MOSFET for Low-Power Robust SRAMs.
    Ghanatian, Hamdam ; Hosseini, Seyed Ebrahim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-04-01), Heft 4, S. 1575-1582
    Online academicJournal
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    Simulation Study of a 3-D Device Integrating FinFET and UTBFET.
    Fahad, Hossain M. ; Hu, Chenming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015), Heft 1, S. 83-87
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    Online academicJournal
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    Low-Frequency Noise Sources in Advanced UTBB FD-SOI MOSFETs.
    Theodorou, Christoforos G. ; Ioannidis, Eleftherios G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 61 (2014-04-01), Heft 4, S. 1161-1167
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Study of Hot-Carrier-Induced Traps in Nanoscale UTBB FD-SOI MOSFETs by Low-Frequency Noise Measurements.
    Karatsori, Theano A. ; Theodorou, Christoforos G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 63 (2016-08-01), Heft 8, S. 3222-3228
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    Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part II: DC and AC Model Description.
    Poiroux, Thierry ; Rozeau, O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), Heft 9, S. 2760-2768
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Leti-UTSOI2.1: A Compact Model for UTBB-FDSOI Technologies—Part I: Interface Potentials Analytical Model.
    Poiroux, T. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 62 (2015-09-01), Heft 9, S. 2751-2759
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    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs.
    Low, Tony ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), Heft 11, S. 2430-2439
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOl MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET.
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    Online academicJournal
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