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31 Treffer

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    Molecular Orbital Calculations for the Formation of GaN Layers on Ultra-thin AlN/6H-SiC Surface Using Alternating Pulsative Supply of
    Gaseous Trimethyl Gallium (tmg ; Seong, Seeyearl ; et al.
    In: http://pdf.easechem.com/pdf/32/001ae4d6-e16c-481b-acf3-716aae4cdf51.pdf, 2000
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    以三甲基鎵/第三丁基聯胺之有機金屬化學氣相沉積系統合成直列式氮化鎵奈米線之研究 ; Synthesis of vertically-aligned GaN nanorods using TMGa/TBHy MOCVD system
    黃珮珊
    2009
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    以第三丁基聯胺/三甲基鎵有機金屬化學氣相沉積系統在不同基材上成長氮化鎵一維奈米線之研究 ; Synthesis of GaN Nanowires on Different Substrates by TMGa-TBHy MOCVD System
    曾士恩
    2008
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    利用計算流體力學模擬氮化鎵2維/3維 之金屬有機化學氣相沉積產物 ; 2D/3D CFD Simulation of Metal Oxide Chemical Vapor Deposition (MOCVD) of GaN
    陳瑞祥 ; Chen, Ruei-Shiang ; et al.
    2010
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials; Volume 15; Issue 19; Pages: 6916, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials, Vol 15, Iss 6916, p 6916 (2022, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED
    Kim, Dohyun ; Song, Keun ; et al.
    In: Applied Sciences; Volume 10; Issue 4; Pages: 1514, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED
    Kim, Dohyun ; Keun Man Song ; et al.
    In: Applied Sciences, Vol 10, Iss 4, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Epitaxy of GaN Film by Hydrogen Plasma Assisted MOCVD
    Sugianto, Sugianto ; Subagio, A. ; et al.
    In: Journal of Mathematical and Fundamental Sciences; Vol. 33 No. 1 (2001); 1-4, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider A., Kizir S., Deminskyi P., Tsymbalenko O., Leghari S.A., Biyikli N., Alevli M., Gungor N.
    2016
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials, Vol 15, Iss 6916, p 6916 (2022, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, A. ; Kizir, S. ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A study on the low temperature buffer layer for III-nitride electronic device ; 3족 질화물 반도체를 위한 저온 버퍼층 연구
    신인수 ; 윤의준 ; et al.
    2016
    Online Hochschulschrift
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature self-limiting growth of III-nitride thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition
    Biyikli, N. ; Ozgit, C. ; et al.
    In: Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2012
    Online academicJournal
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究 ; The Characterization of InGaN and InGaN/GaN Quantum Wells Grown by LP-MOCVD
    刘宝林 ; 陈松岩 ; et al.
    2002
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    LP-MOCVD生长InGaN及InGaN/GaN量子阱的研究 ; The Characterization of InGaN and InGaN/GaN Quantum Wells Grown by LP-MOCVD
    刘宝林 ; 陈松岩 ; et al.
    2002
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis of influence of alkyl sources on deep levels in GaN by transient capacitance method
    Chen, JF ; Chen, NC ; et al.
    1996
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis of influence of alkyl sources on deep levels in GaN by transient capacitance method
    Chen, JF ; Chen, NC ; et al.
    1996
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    氮化鎵系列發光二極體於磊晶品質及元件效能之提升 ; The Performance Improvement on GaN-based Light-Emitting-Diodes in Epitaxial Quality and Efficiency of Device
    張宏銘 ; Chang, Hung-Ming ; et al.
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    以有機化學氣相沉積法成長氧化鋅摻雜鎵之透明導電薄膜其特性及元件應用之研究 ; Characteristics and device applications of Ga-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD
    殷振揚 ; Yin, Chen-Yang ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?

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