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    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules; Volume 27; Issue 23; Pages: 8123, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules, Vol 27, Iss 8123, p 8123 (2022, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
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    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
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    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
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    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
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    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
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    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
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    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 49 (2020), Nr. 9, 2020
    academicJournal
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    Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition.
    Dhasiyan, Arun Kumar ; Amalraj, Frank Wilson ; et al.
    In: Sci Rep, 2024
    academicJournal
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, A. ; Kizir, S. ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016
    Online Konferenz
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High-Temperature Atomic Layer Deposition of GaN on 1D Nanostructures
    Austin, Aaron J. ; Echeverria, Elena ; et al.
    In: Nanomaterials; Volume 10; Issue 12; Pages: 2434, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-Temperature Atomic Layer Deposition of GaN on 1D Nanostructures
    Austin, Aaron J. ; Echeverria, Elena ; et al.
    In: Nanomaterials, Vol 10, Iss 2434, p 2434 (2020, 2020
    Online academicJournal
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as 'ga' source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition
    Alevli, M. ; Haider, A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2016
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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