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    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules; Volume 27; Issue 23; Pages: 8123, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules, Vol 27, Iss 8123, p 8123 (2022, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, A. ; Kizir, S. ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016
    Online Konferenz
    Zugriff:
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