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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> using TMGa as precursor.
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 388-393
    Online academicJournal
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    Al Incorporation up to 99% in Metalorganic Chemical Vapor Deposition‐Grown Monoclinic (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films Using Trimethylgallium.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 17 (2023-10-01), Heft 10, S. 1-16
    Online academicJournal
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    Metalorganic Chemical Vapor Deposition Gallium Nitride with Fast Growth Rate for Vertical Power Device Applications.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-03-15), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
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    A density functional theory study on the gas-phase formation of InGaN by metalorganic chemical vapor deposition.
    Sun, Yukang ; Su, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 631 (2024-04-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask.
    Stȩpniak, Michał ; Wośko, Mateusz ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Carbon and silicon background impurity control in undoped GaN layers grown with trimethylgallium and triethylgallium via metalorganic chemical vapor deposition.
    Bakhtiary-Noodeh, Marzieh ; Detchprohm, Theeradetch ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 602 (2023-01-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-06-01), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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    The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration.
    Jung, Hanearl ; Kim, Doyoung ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 297 (2014-04-01), S. 125-129
    Online academicJournal
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    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    Online academicJournal
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    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
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    Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD
    Tamura, Kazuyuki ; Kuroki, Yuichiro ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-01-15), Heft 5, S. 659-662
    Online academicJournal
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    Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
    Moe, C. ; Onuma, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 710-713
    Online academicJournal
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    Characterization and reactivity of Ga<superscript>+</superscript> and GaO<superscript>+</superscript> cations in zeolite ZSM-5
    Rane, N. ; Overweg, A.R. ; et al.
    In: Journal of Catalysis, Jg. 239 (2006-04-25), Heft 2, S. 478-485
    Online academicJournal
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    Effect of trimethylgallium flow on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells.
    Zhang, J.C. ; Wang, J.F. ; et al.
    In: Journal of Applied Crystallography, Jg. 37 (2004-06-01), Heft 3, S. 391-394
    Online academicJournal
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    Characterization of Ga/HZSM-5 and Ga/HMOR synthesized by chemical vapor deposition of trimethylgallium.
    García-Sánchez, M. ; Magusin, P. C. M. M. ; et al.
    In: Journal of Catalysis, Jg. 219 (2003-10-25), Heft 2, S. 352-361
    Online academicJournal
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    Low temperature metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride using dimethylhydrazine as nitrogen source
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 419 (2002-11-01), Heft 1/2, S. 33-39
    Online academicJournal
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